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2SC3279

NPNPlasticEncapsulatedTransistor

SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH

喜可士喜可士股份有限公司

2SC3279

NPNTransistorPlastic-EncapsulateTransistors

FEATURES HighDCcurrentgainandexcellenthFElinearity. Lowsaturationvoltage.

SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH

喜可士喜可士股份有限公司

2SC3279

SiliconNPNEpitaxialType(PCTprocess)StrobeFlashApplications

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

2SC3279

NPNEPITAXIALTYPE(STOROBOFLASH,MEDIUMPOWERAMPLIFIERAPPLICATIONS)

StrobeFlashApplications MediumPowerAmplifierApplications ?HighDCcurrentgainandexcellenthFElinearity :hFE(1)=140~600(VCE=1V,IC=0.5A) :hFE(2)=70(min),200(typ.)(VCE=1V,IC=2A) ?Lowsaturationvoltage:VCE(sat)=0.5V(max) (IC=2A,IB=50

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

2SC3279

TRANSISTOR(NPN)

WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD

永而佳實業(yè)深圳市永而佳實業(yè)有限公司

2SC3279

TRANSISTOR(NPN)

KOOCHIN

SHENZHEN KOO CHIN ELECTRONICS CO., LTD.

2SC3279

TO-92Plastic-EncapsulateTransistors

JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd

長電科技江蘇長電科技股份有限公司

2SC3279-L

NPNSiliconEpitaxialTransistors

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半導(dǎo)體股份有限公司

2SC3279-L

NPNSiliconEpitaxialTransistors

Features ?HighDCCurrentGainandexcellenthFELinearity hFE(1)=140-600(VCE=1.0V,IC=0.5A) hFE(2)=70(Min.),200(Typ.)(VCE=1.0V,IC=2.0A) ?LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginformation) ?LeadFreeFinish/RoHSCompliant

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半導(dǎo)體股份有限公司

2SC3279-N

NPNSiliconEpitaxialTransistors

Features ?HighDCCurrentGainandexcellenthFELinearity hFE(1)=140-600(VCE=1.0V,IC=0.5A) hFE(2)=70(Min.),200(Typ.)(VCE=1.0V,IC=2.0A) ?LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginformation) ?LeadFreeFinish/RoHSCompliant

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半導(dǎo)體股份有限公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    2SC3279M

  • 功能描述：

    BJT

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更多2SC3279M供應(yīng)商 更新時間2025-2-22 14:22:00

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