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2SC3425

TRANSISTOR SILICON NPN DIFFUSED TYPE (PCT PROCESS)

SwitchingRegulatorandHigh-VoltageSwitchingApplications High-SpeedDC-DCConverterApplications ?Excellentswitchingtimes:tr=1.0μs(max) tf=1.5μs(max),(IC=0.5A) ?Highbreakdownvoltage:VCEO=400V

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

2SC3425

Bipolar Small-Signal Transistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

2SC3425

isc Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION ·Collector–EmitterSustainingVoltage- :VCEO=400V(Min) ·ComplementtothePNP2SA1924 ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·Designedforhighvoltageandgeneralpurposeapplications.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

2SC3425

Silicon NPN Triple Diffused Type (PCT Process)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

2SC3425_06

Silicon NPN Triple Diffused Type (PCT Process)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

晶體管資料

  • 型號(hào)：

    2SC3425

  • 別名：

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

    Si-NPN

  • 性質(zhì)：

    開(kāi)關(guān)管 （S）_功率放大 （L）

  • 封裝形式：

    直插封裝

  • 極限工作電壓：

    500V

  • 最大電流允許值：

    0.8A

  • 最大工作頻率：

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù)：

    3

  • 可代換的型號(hào)：

    BD410,2SC2752,2SD1350,2SD3051,

  • 最大耗散功率：

    10W

  • 放大倍數(shù)：

  • 圖片代號(hào)：

    B-23

  • vtest：

    500

  • htest：

    999900

  • atest：

    0.8

  • wtest：

    10

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    2SC3425

  • 制造商：

    Toshiba America Electronic Components

  • 功能描述：

    Trans GP BJT NPN 400V 0.8A 3-Pin TO-126IS

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
TOSHIBA/東芝
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百分百原裝正品 真實(shí)公司現(xiàn)貨庫(kù)存 本公司只做原裝 可
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 詢價(jià)
更多2SC3425供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-16 15:14:00

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