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2SC3587中文資料瑞薩數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

2SC3587
廠商型號(hào)

2SC3587

功能描述

NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR FOR MICROWAVE LOW-NOISE AMPLIFICATION

文件大小

91.01 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商 Renesas Electronics America
企業(yè)簡(jiǎn)稱

NEC瑞薩

中文名稱

日本瑞薩電子株式會(huì)社官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-2-21 20:00:00

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晶體管資料

  • 型號(hào):

    2SC3587

  • 別名:

    2SC3587三極管、2SC3587晶體管、2SC3587晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性質(zhì):

    超高頻/特高頻 (UHF)

  • 封裝形式:

    貼片封裝

  • 極限工作電壓:

    20V

  • 最大電流允許值:

    0.035A

  • 最大工作頻率:

    10GHZ

  • 引腳數(shù):

    4

  • 可代換的型號(hào):

    2SC3721,

  • 最大耗散功率:

    0.58W

  • 放大倍數(shù):

  • 圖片代號(hào):

    G-129

  • vtest:

    20

  • htest:

    10000000000

  • atest:

    0.035

  • wtest:

    0.58

2SC3587規(guī)格書詳情

NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR FOR MICROWAVE LOW-NOISE AMPLIFICATION

The 2SC3587 is an NPN epitaxial transistor designed for lownoise amplification at 0.5 to 6.0 GHz. This transistor has low-noise and high-gain characteristics in a wide collector current region, and has a wide dynamic range.

FEATURES

? Low noise : NF = 1.7 dB TYP. @ f = 2 GHz

NF = 2.6 dB TYP. @ f = 4 GHz

? High power gain : GA = 12.5 dB TYP. @ f = 2 GHz

GA = 8.0 dB TYP. @ f = 4 GHz

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
NEC
22+
TO-251
100000
代理渠道/只做原裝/可含稅
詢價(jià)
NEC
24+
IPAK
990000
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨
詢價(jià)
NEC
07+
TO-251
15300
一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
詢價(jià)
NEC
1822+
TO-252
9852
只做原裝正品假一賠十為客戶做到零風(fēng)險(xiǎn)!!
詢價(jià)
NEC
24+
4231
公司原廠原裝現(xiàn)貨假一罰十!特價(jià)出售!強(qiáng)勢(shì)庫存!
詢價(jià)
NEC
99+
TO-251
634
詢價(jià)
NEC
21+
TO-252
734
原裝現(xiàn)貨假一賠十
詢價(jià)
NEC
22+
TO-251
16800
全新進(jìn)口原裝現(xiàn)貨,假一罰十
詢價(jià)
SMD
23+
NA
15659
振宏微專業(yè)只做正品,假一罰百!
詢價(jià)
NEC
24+
SMT36
64580
原裝現(xiàn)貨假一賠十
詢價(jià)