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2SC4226E中文資料時(shí)科數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

2SC4226E
廠商型號(hào)

2SC4226E

功能描述

NPN SILICON RF TRANSISTOR

絲印標(biāo)識(shí)

R25

封裝外殼

SOT-323

文件大小

591.82 Kbytes

頁面數(shù)量

3

生產(chǎn)廠商 SHIKE Electronics
企業(yè)簡稱

SKTECHNOLGY時(shí)科

中文名稱

廣東時(shí)科微實(shí)業(yè)有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-2-23 13:10:00

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2SC4226E規(guī)格書詳情

NPN SILICON RF TRANSISTOR

External bipolar process, with high power gain Low noise characteristics. The adoption of submit-niature SOT- 323 package, Especially suitable for high density surface patch installation, mainly for the VHF, UHF low noise amplifier.

Feature

High gain:︱S21e︱2 TYP. Value is 11dB @ VCE=3V,IC=7mA,f=1GHz

Low noise: NF TYP. Value is 1.4dB @ VCE=3V,IC=7mA,f=1GHz

fT (TYP.) : TYP. Value is 4.5GHz @ VCE=3V,IC=7mA,f=1GHz

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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