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2SC522

HIGH FREQUENCY AMPLIFIER APPLICATIONS. HIGH VOLTAGE SWITCHING APPLICATIONS. REGULATOR APPLICATIONS.

FEATURES: ?HighBreakdownVoltage:VCEO100V(2SC522) :Vceo=60V(2SC524) ?UsefulattachmentforHeatsink. ?VariousUsesforMediumPower :Ic=1.5A(Max.),Pc=10W(Max.)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

2SC5223

Silicon NPN triple diffusion planar type(For high-speed switching)

SiliconNPNtriplediffusionplanartype Forhigh-speedswitching ■Features ●HighcollectortobasevoltageVCBO ●HighcollectortoemitterVCEO

PanasonicPanasonic Semiconductor

松下松下電器

2SC5225

Silicon NPN Epitaxial Transistor

Features ?Highvoltagelargecurrentoperation. VCEO=80V,IC=300mA ?HighfT. fT=1.4GHz ?Smalloutputcapacitance. Cob=3pF Application ?WidebandvideooutputamplifierforcolorCRTmonitor. ?Highfrequencyhighvoltageamplifier. ?Highspeedpowerswitchin

HitachiHitachi Semiconductor

日立日立公司

2SC5226

VHF to UHF Wide-Band Low-Noise Amp Applications???

VHFtoUHFWide-BandLow-NoiseAmplifierApplications Features ·Lownoise:NF=1.0dBtyp(f=1GHz). ·Highgain:|S21e|2=12dBtyp(f=1GHz). ·Highcutofffrequency:fT=7GHztyp.

SANYOSanyo Semicon Device

三洋三洋電機(jī)株式會社

2SC5226A

VHF to UHF Wide-Band Low-Noise Amplifier Applications

NPNEpitaxialPlanarSiliconTransistor Features ?Low-noise:NF=1.0dBtyp(f=1GHz) ?Highgain:?S21e?2=12dBtyp(f=1GHz) ?Highcut-offfrequency:fT=7GHztyp

SANYOSanyo Semicon Device

三洋三洋電機(jī)株式會社

2SC5226A

VHF to UHF Wide-Band Low-Noise Amplifi er Applications

NPNEpitaxialPlanarSiliconTransistor Features ?Low-noise:NF=1.0dBtyp(f=1GHz) ?Highgain:?S21e?2=12dBtyp(f=1GHz) ?Highcut-offfrequency:fT=7GHztyp

SANYOSanyo Semicon Device

三洋三洋電機(jī)株式會社

2SC5226A

RF Transistor 10V, 70mA, fT=7GHz, NPN Single MCP

RFTransistor 10V,70mA,fT=7GHz,NPNSingleMCP Features ?Low-noise:NF=1.0dBtyp(f=1GHz) ?Highgain:?S21e?2=12dBtyp(f=1GHz) ?Highcut-offfrequency:fT=7GHztyp

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

2SC5226A-4-TL-E

VHF to UHF Wide-Band Low-Noise Amplifi er Applications

NPNEpitaxialPlanarSiliconTransistor Features ?Low-noise:NF=1.0dBtyp(f=1GHz) ?Highgain:?S21e?2=12dBtyp(f=1GHz) ?Highcut-offfrequency:fT=7GHztyp

SANYOSanyo Semicon Device

三洋三洋電機(jī)株式會社

2SC5226A-4-TL-E

RF Transistor 10V, 70mA, fT=7GHz, NPN Single MCP

RFTransistor 10V,70mA,fT=7GHz,NPNSingleMCP Features ?Low-noise:NF=1.0dBtyp(f=1GHz) ?Highgain:?S21e?2=12dBtyp(f=1GHz) ?Highcut-offfrequency:fT=7GHztyp

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

2SC5226A-5-TL-E

RF Transistor 10V, 70mA, fT=7GHz, NPN Single MCP

RFTransistor 10V,70mA,fT=7GHz,NPNSingleMCP Features ?Low-noise:NF=1.0dBtyp(f=1GHz) ?Highgain:?S21e?2=12dBtyp(f=1GHz) ?Highcut-offfrequency:fT=7GHztyp

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

晶體管資料

  • 型號：

    2SC522

  • 別名：

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

    Si-NPN

  • 性質(zhì)：

    射頻/高頻放大 （HF）_開關(guān)管 （S）_功率放大 （L）

  • 封裝形式：

    直插封裝

  • 極限工作電壓：

    140V

  • 最大電流允許值：

    1.5A

  • 最大工作頻率：

    60MHZ

  • 引腳數(shù)：

    3

  • 可代換的型號：

    BD232,BD410,2SC3117,2SD669,3DK204C,

  • 最大耗散功率：

    10W

  • 放大倍數(shù)：

  • 圖片代號：

    E-36

  • vtest：

    140

  • htest：

    60000000

  • atest：

    1.5

  • wtest：

    10

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    2SC522

  • 功能描述：

    TRANSISTOR | BJT | NPN | 100V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | TO-37VAR

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
TOSHIBA
24+
CAN3
1200
原裝現(xiàn)貨假一罰十
 詢價(jià)
TOSHIBA/東芝
專業(yè)鐵帽
CAN3
1200
原裝鐵帽專營,代理渠道量大可訂貨
 詢價(jià)
NEC
20+
CAN3
35830
原裝優(yōu)勢主營型號-可開原型號增稅票
 詢價(jià)
NEC
2023+
80000
一級代理/分銷渠道價(jià)格優(yōu)勢 十年芯程一路只做原裝正品
 詢價(jià)
NEC
24+
35210
一級代理/放心采購
 詢價(jià)
23+
TO
20000
正品原裝貨價(jià)格低
 詢價(jià)
NEC
23+
CAN-3
5000
專注配單,只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨
 詢價(jià)
NEC
23+
CAN-3
5000
專注配單,只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨
 詢價(jià)
SONYO
01+
SOT23
3000
全新原裝進(jìn)口自己庫存優(yōu)勢
 詢價(jià)
SANYO
23+
CP
3260
絕對全新原裝!優(yōu)勢供貨渠道!特價(jià)!請放心訂購!
 詢價(jià)
更多2SC522供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-13 13:30:00

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