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2SC5415AF-TD-E分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻規(guī)格書PDF中文資料

2SC5415AF-TD-E
廠商型號

2SC5415AF-TD-E
參數(shù)屬性

2SC5415AF-TD-E 封裝/外殼為TO-243AA；包裝為托盤；類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻；產(chǎn)品描述：RF TRANS NPN 12V 6.7GHZ PCP
功能描述

RF Transistor 12V, 100mA, fT=6.7GHz, NPN Single PCP
RF TRANS NPN 12V 6.7GHZ PCP
封裝外殼

TO-243AA
文件大小

296.02 Kbytes
頁面數(shù)量

8 頁
生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI【安森美半導體】

中文名稱

安森美半導體公司官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-5-5 23:00:00
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2SC5415AF-TD-E規(guī)格書詳情

2SC5415AF-TD-E屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻。由安森美半導體公司制造生產(chǎn)的2SC5415AF-TD-E晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻雙極型射頻晶體管是一種具有三個端子的半導體器件，用于在涉及射頻的設備中開關或放大信號。雙極結型晶體管設計為 NPN 或 PNP，特征參數(shù)包括晶體管類型、集射極擊穿電壓、躍遷頻率、噪聲系數(shù)、增益、功率、DC 電流增益和集電極電流。

Features

? High gain : ?S21e?2=9dB typ (f=1GHz)

? High cut-off frequency : fT=6.7GHz typ

產(chǎn)品屬性

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  • 產(chǎn)品編號：

    2SC5415AF-TD-E

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻

  • 包裝：

    托盤

  • 晶體管類型：

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：

    12V

  • 頻率 - 躍遷：

    6.7GHz

  • 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）：

    1.1dB @ 1GHz

  • 增益：

    9dB

  • 功率 - 最大值：

    800mW

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    90 @ 30mA，5V

  • 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：

    100mA

  • 工作溫度：

    150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-243AA

  • 供應商器件封裝：

    PCP

  • 描述：

    RF TRANS NPN 12V 6.7GHZ PCP

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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