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2SC5714

TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type

High-SpeedSwitchingApplications DC-DCConverterApplications StrobeApplications ?HighDCcurrentgain:hFE=400to1000(IC=0.5A) ?Lowcollector-emittersaturationvoltage:VCE(sat)=0.15V(max) ?High-speedswitching:tf=90ns(typ.)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

2SC5714

Bipolar Small-Signal Transistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

2SC5714

Silicon NPN Epitaxial Type

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

2SC5714_06

Silicon NPN Epitaxial Type

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

2SC5714(TE12L,ZF)

Package：TO-243AA；包裝：卷帶（TR） 類別：分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個 描述：TRANS NPN 20V 4A PW-MINI

Toshiba Semiconductor and Storage

Toshiba Semiconductor and Storage

Toshiba Semiconductor and Storage

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SOT89
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SOT89
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TOSHIBA/東芝
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更多2SC5714供應(yīng)商 更新時間2025-4-12 9:36:00

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