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2SC5886

Marking：C5886；Package：SC-68；Bipolar Small-Signal Transistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

2SC5886

High-Speed Swtching Applications

High-SpeedSwtchingApplications DC-DCConverterApplications ?HighDCcurrentgain:hFE=400to1000(IC=0.5A) ?Lowcollector-emittersaturation:VCE(sat)=0.22V(max) ?High-speedswitching:tf=55ns(typ.)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

2SC5886A

High-Speed Switching Applications

High-SpeedSwitchingApplications DC/DCConverterApplications ?HighDCcurrentgain:hFE=400to1000(IC=0.5A) ?Lowcollector-emittersaturation:VCE(sat)=0.22V(max) ?High-speedswitching:tf=95ns(typ.)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

2SC5886A

Marking：C5886A；Package：SC-69；Bipolar Small-Signal Transistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

2SC5886A

isc Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION ·Highswitchingspeedtime ·Lowcollector-to-emittersaturationvoltage ·Fastswitchingspeed ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·High-SpeedSwitchingApplications ·DC/DCConverterApplications

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

2SC5886_06

Silicon NPN Epitaxial Type High-Speed Swtching Applications

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

2SC5886A(T6L1,NQ)

Package：TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63；包裝：卷帶（TR） 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè) 描述：PB-F VOLTAGE REGULATOR NEW PW-MO

Toshiba Semiconductor and Storage

Toshiba Semiconductor and Storage

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5886A,L1XHQ(O

包裝：散裝 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè) 描述：TRANSISTOR NPN BIPO PWMOLD

Toshiba Semiconductor and Storage

Toshiba Semiconductor and Storage

Toshiba Semiconductor and Storage

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    2SC5886

  • 功能描述：

    兩極晶體管 - BJT NPN VCE 0.22V 95ns 400 to 1000 hFE 5A

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    PNP 集電極—基極電壓

  • VCBO：

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    - 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO：

    - 6 V

  • 增益帶寬產(chǎn)品fT：

    直流集電極/Base Gain hfe

  • Min：

    100 A

  • 安裝風(fēng)格：

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體：

    PowerFLAT 2 x 2

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
TOSHIBA/東芝
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TOSHIBA
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TOSHIBA
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15000
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更多2SC5886供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-12 10:21:00

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