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2SC6075

Bipolar Small-Signal Transistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

2SC6076

Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)

PowerAmplifierApplications PowerSwitchingApplications Lowcollectorsaturationvoltage:VCE(sat)=0.5V(max)(IC=1A) High-speedswitching:tstg=0.4μs(typ.)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

2SC6076

Bipolar Small-Signal Transistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

2SC6077

Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)

○PowerAmplifierApplications ○PowerSwitchingApplications ?Lowcollectorsaturationvoltage:VCE(sat)=0.5V(max)（IC=1A） ?High-speedswitching:tstg=0.4μs(typ)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

2SC6077

Bipolar Small-Signal Transistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

2SC6078

Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)

○PowerAmplifierApplications ○PowerSwitchingApplications ?Lowcollectorsaturationvoltage:VCE(sat)=0.5V(max)（IC=1A） ?High-speedswitching:tstg=0.4μs(typ)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

2SC6078

Bipolar Small-Signal Transistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

2SC6079

Silicon NPN Epitaxial Type

PowerAmplifierApplications PowerSwitchingApplications Lowcollectorsaturationvoltage:VCE(sat)=0.5V(max)（IC=1A） High-speedswitching:tstg=0.4μs(typ)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

2SC6079

Bipolar Small-Signal Transistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

2SC6080

NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor 50V / 13A High-Speed Switching

50V/13AHigh-SpeedSwitchingApplications Features ?AdoptionofMBITprocess. ?Largecurrentcapacitance. ?Lowcollector-to-emittersaturationvoltage. ?High-speedswitching. Applications ?High-speedswitchingapplications(switchingregulator,drivercircuit).

SANYOSanyo Semicon Device

三洋三洋電機(jī)株式會(huì)社

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    2SC6011A

  • 制造商：

    Sanken

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型：

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：

    500mV @ 500mA，5A

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    10μA（ICBO）

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    50 @ 3A，4V

  • 頻率 - 躍遷：

    20MHz

  • 工作溫度：

    150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-3P-3，SC-65-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-3P

  • 描述：

    TRANS NPN 230V 15A TO3P

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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全新原裝 支持表配單 中國(guó)著名電子元器件獨(dú)立分銷
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更多2SC60供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-4-9 14:52:00

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