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2SD1127

SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED POWER SWITCHING

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HitachiHitachi Semiconductor

日立日立公司

2SD1127

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor

DESCRIPTION ·Collector-EmitterSustainingVoltage:VCEO(SUS)=120V(Min) ·HighDCCurrentGain:hFE=1000(Min)@IC=10A ·LowSaturationVoltage APPLICATIONS ·Designedforpowerswitchingapplications.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

晶體管資料

  • 型號：

    2SD1127

  • 別名：

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

    Si-NPN

  • 性質(zhì)：

    低頻或音頻放大 （LF）_開關(guān)管 （S）_功率放大 （L

  • 封裝形式：

    直插封裝

  • 極限工作電壓：

    120V

  • 最大電流允許值：

    10A

  • 最大工作頻率：

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù)：

    3

  • 可代換的型號：

    BDT63C,BDT65C,BDX33D,2SD1196,2SD1607,2SD1773,

  • 最大耗散功率：

    50W

  • 放大倍數(shù)：

    β>1000

  • 圖片代號：

    B-10

  • vtest：

    120

  • htest：

    999900

  • atest：

    10

  • wtest：

    50

詳細參數(shù)

  • 型號：

    2SD1127

  • 制造商：

    ISC

  • 制造商全稱：

    Inchange Semiconductor Company Limited

  • 功能描述：

    isc Silicon NPN Darlington Power Transistor

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多2SD1127供應(yīng)商 更新時間2025-2-12 14:00:00

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