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2SD1223

Bipolar Small-Signal Transistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

2SD1223

Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage- :V(BR)CEO=80V(Min) ·DCCurrentGain- :hFE=2000(Min)@IC=1A APPLICATIONS ·DC-DCconverter,relaydrivers,lampdrivers,motor drivers,inverter

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

2SD1223

Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage- :V(BR)CEO=80V(Min) ·DCCurrentGain- :hFE=2000(Min)@IC=1A APPLICATIONS ·DC-DCconverter,relaydrivers,lampdrivers,motor drivers,inverter

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

2SD1223

NPN EPITAXIAL TYPE (SWITCHING, HAMMER DRIVE, PULSE MOTOR DRIVE, POWER AMPLIFIER APPLICATIONS)

SwitchingApplications HammerDrive,PulseMotorDriveApplications PowerAmplifierApplications ?HighDCcurrentgain:hFE=2000(min)(VCE=2V,IC=1A) ?Lowsaturationvoltage:VCE(sat)=1.5V(max)(IC=3A) ?Complementaryto2SB908.

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

2SD1223

Switching Applications

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

2SD1223-251

Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage- :V(BR)CEO=80V(Min) ·DCCurrentGain- :hFE=2000(Min)@IC=1A APPLICATIONS ·DC-DCconverter,relaydrivers,lampdrivers,motor drivers,inverter

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

2SD1223-252

Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage- :V(BR)CEO=80V(Min) ·DCCurrentGain- :hFE=2000(Min)@IC=1A APPLICATIONS ·DC-DCconverter,relaydrivers,lampdrivers,motor drivers,inverter

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

2SD1223_10

Switching Applications

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

2SD1223(TE16L1,NQ)

Package：TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63；包裝：卷帶（TR） 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個 描述：TRANS NPN DARL 80V 4A PW-MOLD

Toshiba Semiconductor and Storage

Toshiba Semiconductor and Storage

Toshiba Semiconductor and Storage

2SD1223,L1XGQ(O

包裝：散裝 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個 描述：TRANSISTOR NPN DARL PWMOLD

Toshiba Semiconductor and Storage

Toshiba Semiconductor and Storage

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管資料

  • 型號：

    2SD1223

  • 別名：

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

    Si-N+Darl+Di

  • 性質(zhì)：

    低頻或音頻放大 （LF）_開關(guān)管 （S）_功率放大 （L

  • 封裝形式：

    直插封裝

  • 極限工作電壓：

    100V

  • 最大電流允許值：

    4A

  • 最大工作頻率：

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù)：

    3

  • 可代換的型號：

    2SC4339,2SD1520,2SD1749,2SD1816,2SD1955,

  • 最大耗散功率：

    15W

  • 放大倍數(shù)：

    β=5000

  • 圖片代號：

    B-10

  • vtest：

    100

  • htest：

    999900

  • atest：

    4

  • wtest：

    15

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    2SD1223

  • 制造商：

    Distributed By MCM

  • 功能描述：

    SUB ONLY TOSHIBA TRANS. SC-64100V 4A 1W BCE

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
TOS
14+無鉛
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更多2SD1223供應(yīng)商 更新時間2023-6-8 12:14:00

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