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2SD1412A

NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE (HIGH CURRENT SWITCHING, POWER AMPLIFIER APPLICATIONS)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

2SD1412

iscSiliconNPNPowerTransistor

DESCRIPTION ?LowCollectorSaturationVoltage:VCE(sat)=0.4V(Max)@IC=4A ?Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=50V(Min) ?ComplementtoType2SB1019 APPLICATIONS ?Highcurrentswitchingapplications. ?Poweramplifierapplications.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

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更多2SD1412A供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-21 10:50:00

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