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2SD1623	文件：105 Kbytes Page：5 Pages	High-Current Switching Applications PNP/NPNEpitaxialPlanarSiliconTransistors Features ?AdoptionofFBET,MBITprocesses. ?Lowcollector-to-emittersaturationvoltage. ?LargecurrentcapacityandwideASO. ?Fastswitchingspeed. ?Theultraminiaturepackagefacilitateshigher-densitymounting,thusallowstheapplied	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋電機(jī)株式會社	SANYO
2SD1623	文件：368.26 Kbytes Page：8 Pages	Bipolar Transistor (??50V, (??2A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single PCP Features ?AdoptionofFBET,MBITprocesses ?Lowcollector-to-emittersaturationvoltage ?LargecurrentcapacityandwideASO ?Fastswitchingspeed ?Theultraminiaturepackagefacilitateshigher-densitymounting,thusallowstheappliedhybridIC’sfurtherminiaturization Applicaitons ?	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
2SD1623	文件：114.81 Kbytes Page：4 Pages	High-Current Switching Applications PNP/NPNEpitaxialPlanarSiliconTransistors Features ?AdoptionofFBET,MBITprocesses. ?Lowcollector-to-emittersaturationvoltage. ?LargecurrentcapacityandwideASO. ?Fastswitchingspeed. ?Theultraminiaturepackagefacilitateshigher-densitymounting,thusallowstheapplied	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋電機(jī)株式會社	SANYO
2SD1623	文件：56.51 Kbytes Page：2 Pages	NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor ■Features ●Lowcollector-to-emittersaturationvoltage. ●LargecurrentcapacityandwideASO. ●Fastswitchingspeed. ●Complementaryto2SB1123	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司	KEXIN
2SD1623	文件：105 Kbytes Page：5 Pages	High-Current Switching Applications	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋電機(jī)株式會社	SANYO
2SD1623S-TD-E	文件：105 Kbytes Page：5 Pages	High-Current Switching Applications PNP/NPNEpitaxialPlanarSiliconTransistors Features ?AdoptionofFBET,MBITprocesses. ?Lowcollector-to-emittersaturationvoltage. ?LargecurrentcapacityandwideASO. ?Fastswitchingspeed. ?Theultraminiaturepackagefacilitateshigher-densitymounting,thusallowstheapplied	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋電機(jī)株式會社	SANYO
2SD1623S-TD-E	文件：368.26 Kbytes Page：8 Pages	Bipolar Transistor (-)50V, (-)2A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single PCP Features ?AdoptionofFBET,MBITprocesses ?Lowcollector-to-emittersaturationvoltage ?LargecurrentcapacityandwideASO ?Fastswitchingspeed ?Theultraminiaturepackagefacilitateshigher-densitymounting,thusallowstheappliedhybridIC’sfurtherminiaturization Applicaitons ?	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
2SD1623S-TD-E	文件：368.26 Kbytes Page：8 Pages	Bipolar Transistor (??50V, (??2A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single PCP Features ?AdoptionofFBET,MBITprocesses ?Lowcollector-to-emittersaturationvoltage ?LargecurrentcapacityandwideASO ?Fastswitchingspeed ?Theultraminiaturepackagefacilitateshigher-densitymounting,thusallowstheappliedhybridIC’sfurtherminiaturization Applicaitons ?	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
2SD1623T-TD-E	文件：368.26 Kbytes Page：8 Pages	Bipolar Transistor (-)50V, (-)2A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single PCP Features ?AdoptionofFBET,MBITprocesses ?Lowcollector-to-emittersaturationvoltage ?LargecurrentcapacityandwideASO ?Fastswitchingspeed ?Theultraminiaturepackagefacilitateshigher-densitymounting,thusallowstheappliedhybridIC’sfurtherminiaturization Applicaitons ?	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
2SD1623T-TD-E	文件：368.26 Kbytes Page：8 Pages	Bipolar Transistor (??50V, (??2A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single PCP Features ?AdoptionofFBET,MBITprocesses ?Lowcollector-to-emittersaturationvoltage ?LargecurrentcapacityandwideASO ?Fastswitchingspeed ?Theultraminiaturepackagefacilitateshigher-densitymounting,thusallowstheappliedhybridIC’sfurtherminiaturization Applicaitons ?	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI

晶體管資料

型號：
2SD1623
別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
生產(chǎn)廠家：
制作材料：
Si-NPN
性質(zhì)：
表面帖裝型（SMD）_低頻或音頻放大（LF）_LO.SAT
封裝形式：
特殊封裝
極限工作電壓：
60V
最大電流允許值：
2A
最大工作頻率：
150MHZ
引腳數(shù)：
3
可代換的型號：
2SC2873,2SC4357,2SC4409,2SD1005,2SD1119,
最大耗散功率：
放大倍數(shù)：
圖片代號：
H-100
vtest：
60
htest：
150000000
atest：
2
wtest：
0

詳細(xì)參數(shù)

型號：
2SD1623
功能描述：
兩極晶體管 - BJT BIP NPN 2A 50V
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
PNP 集電極—基極電壓
VCBO：
集電極—發(fā)射極最大電壓
VCEO：
- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓
VEBO：
- 6 V
增益帶寬產(chǎn)品fT：
直流集電極/Base Gain hfe
Min：
100 A
安裝風(fēng)格：
SMD/SMT
封裝/箱體：
PowerFLAT 2 x 2

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