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2SD1695
廠商型號

2SD1695
功能描述

NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR (DARLINGTON CONNECTION) FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS AND LOW-SPEED SWITCHING
文件大小

104.31 Kbytes
頁面數量

4 頁
生產廠商 Renesas Electronics America
企業(yè)簡稱

NEC【瑞薩】

中文名稱

日本瑞薩電子株式會社官網
原廠標識
數據手冊

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更新時間

2025-5-6 23:00:00
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晶體管資料

  • 型號：

    2SD1695

  • 別名：

    2SD1695三極管、2SD1695晶體管、2SD1695晶體三極管

  • 生產廠家：

  • 制作材料：

    Si-N+Darl+Di

  • 性質：

    INT.Z_DIODE(B->C)

  • 封裝形式：

    直插封裝

  • 極限工作電壓：

    31V

  • 最大電流允許值：

    2A

  • 最大工作頻率：

    <1MHZ或未知

  • 引腳數：

    3

  • 可代換的型號：

    2SD1316,

  • 最大耗散功率：

  • 放大倍數：

    β>2000

  • 圖片代號：

    B-21

  • vtest：

    31

  • htest：

    999900

  • atest：

    2

  • wtest：

    0

2SD1695規(guī)格書詳情

NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR (DARLINGTON CONNECTION)

FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS AND LOW-SPEED SWITCHING

The 2SD1695 is a Darlington connection transistor and incorporates a dumper diode between the collector and emitter and a constant voltage diode and protection elements between the collector and base. This transistor is ideal for drives in solenoid and actuators.

FEATURES

? On-chip protection elements enable time and cost reduction.

C to E: Dumper diode

C to B: Constant diode

? Low collector saturation voltage

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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