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2SD1716

iscSiliconNPNPowerTransistor

DESCRIPTION ?Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=160V(Min.) ?GoodLinearityofhFE ?WideAreaofSafeOperation ?ComplementtoType2SB1161 APPLICATIONS ?Designedforhighpoweramplifierapplications.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

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更多2SD1716S供應(yīng)商 更新時間2025-2-15 16:30:00