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2SD1761

Epitaxial Planar PNP Silicon Transistor

@Features 1)Largecollectorpowerdissipation: Po=30W(Te=25°C) 2)WideASO. 3)Complementarypairwith25D1761. 4)Easilyinsulatedfromtheheatdis- sipationplateasthefinismolded.

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)

2SD1761

Silicon NPN Power Transistors

DESCRIPTION ?WithTO-220Fapackage ?Lowcollectorsaturationvoltage ?Complementtotype2SB1187 ?Widesafeoperatingarea APPLICATIONS ?Forlowfrequencypoweramplifierapplications

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

2SD1761

Silicon NPN Power Transistors

DESCRIPTION ?WithTO-220Fapackage ?Lowcollectorsaturationvoltage ?Complementtotype2SB1187 ?Widesafeoperatingarea APPLICATIONS ?Forlowfrequencypoweramplifierapplications

SAVANTIC

Savantic, Inc.

2SD1761

TRIPLE DIFFUSED PLANAR NPN SILICON TRANSISTOR

LowFeq.PowerAmp. TripleDiffusedPlanarNPNSiliconTransistor Features 1)Lowcollectorsaturationvoltage:Vce(sat)=0.3V(Typ.),IC/IB=2A/0.2A 2)ExcellentcurrentcharacteristicsofDCcurrentgain. 3)Largecollectorpowerdissipation:PC=30W(TC=25℃) 4)Complementarypairwith2SB1187

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)

2SD1761

TO-220F Plastic-Encapsulate Transistors

TRANSISTOR(NPN) FEATURES ?LowCollectorSaturationVoltage:Vce(sat)=0.3V(Typ.),IC/IB=2A/0.2A ?ExcellentCurrentCharacteristicsofDCCurrentGain. ?LargeCollectorPowerDissipation:PC=30W(TC=25℃) ?ComplementaryPairwith2SB1187

JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd

長(zhǎng)電科技江蘇長(zhǎng)電科技股份有限公司

2SD1762

Power Transistor (50V, 3A)

PowerTransistor(50V,3A) Features 1)LowVCE(sat), VCE(sat)=0.5V(Typ.) (IC/IB=2A/0.2A) 2)Complementsthe 2SB1184/2SB1243/2SB1185. Structure EpitaxialplanartypeNPNsilicontransistor

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)

2SD1762

TAPED POWER TRANSISTOR PACKAGE FOR USE WITH AN AUTOMATIC PLACEMENT MACHINE

EpitaxialPlanarNPNSiliconTransistor TAPEDPOWERTRANSISTORPACKAGEFORUSEWITHANAUTOMATICPLACEMENTMACHINE)

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)

2SD1762

Silicon NPN Power Transistors

DESCRIPTION ·WithTO-220Fapackage ·Lowcollectorsaturationvoltage ·Complementtotype2SB1185 APPLICATIONS ·Forlowfrequencypoweramplifierapplications

SAVANTIC

Savantic, Inc.

2SD1762

Silicon NPN Power Transistors

DESCRIPTION ·WithTO-220Fapackage ·Lowcollectorsaturationvoltage ·Complementtotype2SB1185 APPLICATIONS ·Forlowfrequencypoweramplifierapplications

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

2SD1762

Marking：2SD1762；Package：TO-220-3L；TO-220-3L Plastic-Encapsulate Transistors

FEATURES LowVCE(sat) Complementsthe2SB1185

DGNJDZNanjing International Group Co

南晶電子東莞市南晶電子有限公司

晶體管資料

  • 型號(hào)：

    2SD1760(F5)

  • 別名：

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

    Si-NPN

  • 性質(zhì)：

    低頻或音頻放大 （LF）_輸出極 （E）_功率放大 （L

  • 封裝形式：

    貼片封裝

  • 極限工作電壓：

    60V

  • 最大電流允許值：

    3A

  • 最大工作頻率：

    70MHZ

  • 引腳數(shù)：

    3

  • 可代換的型號(hào)：

    2SC3592,2SC3386,2SD1221,2SD1802,

  • 最大耗散功率：

    15W

  • 放大倍數(shù)：

  • 圖片代號(hào)：

    H-61

  • vtest：

    60

  • htest：

    70000000

  • atest：

    3

  • wtest：

    15

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    2SD176

  • 制造商：

    ROHM SEMICONDUCTOR

  • 功能描述：

    HIGH REL TRANS GP BJT NPN 50V 3A TR

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
ROHM
2016+
TO252
4000
只做原裝,假一罰十,公司可開(kāi)17%增值稅發(fā)票!
 詢(xún)價(jià)
ROHM/羅姆
24+
TO-252
5900
只做原廠渠道 可追溯貨源
 詢(xún)價(jià)
ROHM/羅姆
2021+
TO-252
9000
原裝現(xiàn)貨,隨時(shí)歡迎詢(xún)價(jià)
 詢(xún)價(jià)
ROHM/羅姆
2024
TO-252
505348
16余年資質(zhì) 絕對(duì)原盒原盤(pán)代理渠道 更多數(shù)量
 詢(xún)價(jià)
ROHM
24+
TO-252
8700
新進(jìn)庫(kù)存/原裝
 詢(xún)價(jià)
ROHM
23+
TO-252
35890
詢(xún)價(jià)
ROHM
06+
TO263
2900
全新原裝進(jìn)口自己庫(kù)存優(yōu)勢(shì)
 詢(xún)價(jià)
ROHM
2020+
TO252
200
百分百原裝正品 真實(shí)公司現(xiàn)貨庫(kù)存 本公司只做原裝 可
 詢(xún)價(jià)
ROHM
24+
原廠封裝
2500
原裝現(xiàn)貨假一罰十
 詢(xún)價(jià)
ROHM
23+
TO252
8890
價(jià)格優(yōu)勢(shì)、原裝現(xiàn)貨、客戶(hù)至上。歡迎廣大客戶(hù)來(lái)電查詢(xún)
 詢(xún)價(jià)
更多2SD176供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-4-8 11:26:00

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