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2SD1815S-E分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

2SD1815S-E
廠商型號(hào)

2SD1815S-E
參數(shù)屬性

2SD1815S-E 封裝/外殼為TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA；包裝為散裝；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個(gè)；產(chǎn)品描述：TRANS NPN 100V 3A TP
功能描述

Bipolar Transistor (-)100V, (-)3A, Low VCE(sat) (PNP)NPN Single TP/TP-FA
TRANS NPN 100V 3A TP
封裝外殼

TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA
文件大小

106.63 Kbytes
頁面數(shù)量

7 頁
生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱

ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】

中文名稱

安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-5-25 11:10:00
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2SD1815S-E規(guī)格書詳情

2SD1815S-E屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個(gè)。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的2SD1815S-E晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)分立式雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應(yīng)用中用于構(gòu)建模擬信號(hào)放大功能。作為大批量生產(chǎn)的第一批半導(dǎo)體器件之一，對(duì)于涉及高頻開關(guān)和在大電流或高電壓下工作的應(yīng)用而言，它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢(shì)，但對(duì)于需要以極小的噪聲和失真構(gòu)建模擬信號(hào)的應(yīng)用而言，它們?nèi)匀皇鞘走x技術(shù)。

Features

? Low collector to emitter saturation voltage

? Excllent linearity of hFE

? Small-sized package permitting 2SB1215/2SD1815-applied sets to be made small and slim

? High fT

? Fast switching time

? Halogen free compliance

Applications

? Relay drivers, high-speed inverters, converters, and other general high-current switching applications

產(chǎn)品屬性

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  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    2SD1815S-E

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)

  • 包裝：

    散裝

  • 晶體管類型：

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：

    400mV @ 150mA，1.5A

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    1μA（ICBO）

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    70 @ 500mA，5V

  • 頻率 - 躍遷：

    180MHz

  • 工作溫度：

    150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TP

  • 描述：

    TRANS NPN 100V 3A TP

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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