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2SD186

2SD186

ETC1List of Unclassifed Manufacturers

etc未分類制造商未分類制造商

2SD1861

Epitaxial Planar NPN Silicon Darlington Transistors

[ROHM] Features 1)DarlingtonconnectionproviseshighDCcurrentgain(hFE). 2)Built-inresistanceofapprox.4kΩbetweenitsbaseandemitter.Excellenttempraturestability.

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分類制造商

2SD1861

Marking：TV2；Package：ATV；Power transistor (40V, 2A)

Features 1)DarlingtonconnectionforhighDCcurrentgain. 2)Built-in4k?resistorbetweenbaseandemitter. 3)Complementsthe2SB1183/2SB1239.

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)

2SD1862

Marking：D1862；Package：ATV；Medium Power Transistor (32V, 2A)

Features 1)LowVCE(sat).VCE(sat)=0.5V(Typ.)(IC/IB=2A/0.2A) 2)Complementsthe2SB1188/2SB1182/2SB1240/2SB891F/2SB822/2SB1277/2SB911M Structure Epitaxialplanartype NPNsilicontransistor

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)

2SD1862

Marking：D1862；Package：ATV；Medium Power Transistor (32V, 2A)

FTR?FTL Lowprofileflat-packageforlimitedspeceapplications. Tapetypecanbeusedonautomatedline.Bulktypeisalsoavailable.

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)

2SD1862

Medium power transistor (32V, 2A)

Features 1)LowVCE(sat).VCE(sat)=0.5V(Typ.)(IC/IB=2A/0.2A) 2)Complementsthe2SB1188/2SB1182/2SB1240/2SB891F/2SB822/2SB1277/2SB911M Structure Epitaxialplanartype NPNsilicontransistor

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)

2SD1863

Marking：D1863；Package：SPT/SC-72；Power Transistor (80V, 1A)

●Features 1)HighVCEO,VCEO=80V 2)HighIC,IC=1A(DC) 3)GoodhFElinearity. 4)LowVCE(sat). 5)Complementsthe2SB1260/2SB1241/2SB1181.

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)

2SD1864

Power Transistor (50V, 3A)

PowerTransistor(50V,3A) Features 1)LowVCE(sat), VCE(sat)=0.5V(Typ.) (IC/IB=2A/0.2A) 2)Complementsthe 2SB1184/2SB1243/2SB1185. Structure EpitaxialplanartypeNPNsilicontransistor

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)

2SD1864

Power Transistor (50V, 3A)

PowerTransistor(50V,3A) Features 1)LowVCE(sat), VCE(sat)=0.5V(Typ.) (IC/IB=2A/0.2A) 2)Complementsthe 2SB1184/2SB1243/2SB1185. Structure EpitaxialplanartypeNPNsilicontransistor

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)

2SD1864

Marking：QR；Package：ATV；Power Transistor (50V, 3A)

PowerTransistor(50V,3A) Features 1)LowVCE(sat), VCE(sat)=0.5V(Typ.) (IC/IB=2A/0.2A) 2)Complementsthe 2SB1184/2SB1243/2SB1185. Structure EpitaxialplanartypeNPNsilicontransistor

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)

晶體管資料

  • 型號(hào)：

    2SD186

  • 別名：

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

    Ge-NPN

  • 性質(zhì)：

    低頻或音頻放大 （LF）

  • 封裝形式：

    直插封裝

  • 極限工作電壓：

    25V

  • 最大電流允許值：

    0.15A

  • 最大工作頻率：

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù)：

    3

  • 可代換的型號(hào)：

    AC127,AC176,AC187,2N1302,2SD30,2SD72,3BX81B,

  • 最大耗散功率：

    0.2W

  • 放大倍數(shù)：

  • 圖片代號(hào)：

    C-47

  • vtest：

    25

  • htest：

    999900

  • atest：

    0.15

  • wtest：

    0.2

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    2SD186

  • 制造商：

    Distributed By MCM

  • 功能描述：

    SUB ONLY TRANSISTOR ATV50V .5A .6W ECB

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更多2SD186供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-4-3 10:50:00

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