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2SD1959

isc Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION ?Collector-EmitterSustainingVoltage-:VCEO(SUS)=650V(Min) ?HighSwitchingSpeed ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation APPLICATIONS ?DesignedforuseinhorizontaldeflectioncircuitsofcolorTVreceivers.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

2SD1963

Power Transistor (-50V, -3A)

Features 1)Lowsaturationvoltage,typically VCE(sat)=?0.45V(Max.)atIC/IB=?1.5A/?0.15A. 2)ExcellentDCcurrentgaincharacteristics. 3)Complementsthe2SD1963.

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)

2SD1963

Power transistor (50V, 3A)

Features 1)Lowsaturationvoltage,typically VCE(sat)=?0.45V(Max.)atIC/IB=?1.5A/?0.15A. 2)ExcellentDCcurrentgaincharacteristics. 3)Complementsthe2SB1308.

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)

2SD1963

Power Transistor

Features Lowsaturationvoltage. ExcellentDCcurrentgaincharacteristics.

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司

2SD1964

Silicon NPN epitaxial planar type(For power switching)

SiliconNPNepitaxialplanartype Forpowerswitching ■Features ?Lowcollector-emittersaturationvoltageVCE(sat) ?SatisfactorylinearityofforwardcurrenttransferratiohFE ?LargecollectorcurrentIC ?Full-packpackagewhichcanbeinstalledtotheheatsinkwithonescrew.

PanasonicPanasonic Semiconductor

松下松下電器

2SD1966

Marking：C7；Package：TO-220；TAPED POWER TRANSISTOR PACKAGE FOR USE WITH AN AUTOMATIC PLACEMENT MACHINE

EpitaxialPlanarNPNSiliconTransistor TAPEDPOWERTRANSISTORPACKAGEFORUSEWITHANAUTOMATICPLACEMENTMACHINE)

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)

2SD1967

Marking：C7；Package：TO-220FP；TAPED POWER TRANSISTOR PACKAGE FOR USE WITH AN AUTOMATIC PLACEMENT MACHINE

EpitaxialPlanarNPNSiliconTransistor TAPEDPOWERTRANSISTORPACKAGEFORUSEWITHANAUTOMATICPLACEMENTMACHINE)

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)

2SD1970

Silicon NPN Epitaxial

SiliconNPNEpitaxial Application Lowfrequencypoweramplifier

HitachiHitachi Semiconductor

日立日立公司

2SD1974

Silicon NPN Epitaxial

Application Lowfrequencypoweramplifier

HitachiHitachi Semiconductor

日立日立公司

2SD1974

Silicon NPN Epitaxial

Application Lowfrequencypoweramplifier

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

晶體管資料

  • 型號：

    2SD1902

  • 別名：

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

    Si-NPN

  • 性質(zhì)：

    低頻或音頻放大 （LF）_功率放大 （L）

  • 封裝形式：

    直插封裝

  • 極限工作電壓：

    60V

  • 最大電流允許值：

    3A

  • 最大工作頻率：

    40MHZ

  • 引腳數(shù)：

    3

  • 可代換的型號：

    BD241A,BD535,BD539A,2SD880,2SD1251,2SD1252,2D1585,2SD1593,2SD1742,

  • 最大耗散功率：

    30W

  • 放大倍數(shù)：

  • 圖片代號：

    A-80

  • vtest：

    60

  • htest：

    40000000

  • atest：

    3

  • wtest：

    30

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多2SD19供應(yīng)商 更新時間2025-4-2 16:30:00

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