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2SD2110中文資料無(wú)錫固電數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

2SD2110
廠(chǎng)商型號(hào)

2SD2110

功能描述

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor

文件大小

268.79 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

2 頁(yè)

生產(chǎn)廠(chǎng)商 Inchange Semiconductor Company Limited
企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)

ISC無(wú)錫固電

中文名稱(chēng)

無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司官網(wǎng)

原廠(chǎng)標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-5-5 18:49:00

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晶體管資料

  • 型號(hào):

    2SD2110

  • 別名:

    2SD2110三極管、2SD2110晶體管、2SD2110晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠(chǎng)家:

  • 制作材料:

    Si-N+Darl+Di

  • 性質(zhì):

    低頻或音頻放大 (LF)_功率放大 (L)

  • 封裝形式:

    直插封裝

  • 極限工作電壓:

    80V

  • 最大電流允許值:

    4A

  • 最大工作頻率:

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù):

    3

  • 可代換的型號(hào):

    BDT61F,BDT61AF,BDT61BF,BDT61CF,2SC4352,2SD1414,2SD1689,2SD1829,2SD1933,2SD2014,

  • 最大耗散功率:

    25W

  • 放大倍數(shù):

    β>1000

  • 圖片代號(hào):

    B-45

  • vtest:

    80

  • htest:

    999900

  • atest:

    4

  • wtest:

    25

2SD2110規(guī)格書(shū)詳情

DESCRIPTION

? Collector-Emitter Breakdown Voltage-

: V(BR)CEO= 80V(Min)

? Collector-Emitter Saturation Voltage-

: VCE(sat)= 1.5V(Max) @IC= 2A

? High DC Current Gain

: hFE= 1000(Min) @ IC= 2A, VCE= 3V

APPLICATIONS

? Designed for low frequency power amplifier applications

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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