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2SD2164

SILICON POWER TRANSISTOR

NPNSILICONEPITAXIALTRANSISTOR FORLOW-FREQUENCYPOWERAMPLIFIERSANDLOW-SPEEDSWITCHING The2SD2164isasinglepowertransistordevelopedespecially forhighhFE.Thistransistorisidealforsimplifyingdrivecircuitsand reducingpowerdissipationbecauseitshFEisashighasthatof

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

2SD2165

NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR (DARLINGTON CONNECTION) FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS AND LOW-SPEED SWITCHING

NPNSILICONEPITAXIALTRANSISTOR FORLOW-FREQUENCYPOWERAMPLIFIERSANDLOW-SPEEDSWITCHING The2SD2165isasinglepowertransistordevelopedespeciallyforhighhFE.ThistransistorisidealforsimplifyingdrivecircuitsandreducingpowerdissipationbecauseitshFEisashighasthatofDar

NECRenesas Electronics America

瑞薩日本瑞薩電子株式會(huì)社

2SD2165

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor

DESCRIPTION ?HighDCCurrentGain- :hFE=800(MIN)@(VCE=5V,IC=1A) ?LowCollector-EmitterSaturationVoltage :VCE(sat)=1V(MIN)@(IC=3V,IB=30mA) ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ?Designedforuselowfrequ

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

2SD2165

SILICON POWER TRANSISTOR

NPNSILICONEPITAXIALTRANSISTOR FORLOW-FREQUENCYPOWERAMPLIFIERSANDLOW-SPEEDSWITCHING

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

2SD2166

Low VCE(sat) Transistor(Strobe flash)

Features 1)LowVCE(sat). VCE(sat)=0.25V(Typ.) (IC/IB=4A/0.1A) 2)ExcellentDCcurrentgaincharacteristics. 3)Complementsthe 2SB1386/2SB1412/2SB1326/2SB1436. Structure Epitaxialplanartype NPNsilicontransistor

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)

2SD2166Q

Low VCE(sat) Transistor(Strobe flash)

Features 1)LowVCE(sat). VCE(sat)=0.25V(Typ.) (IC/IB=4A/0.1A) 2)ExcellentDCcurrentgaincharacteristics. 3)Complementsthe 2SB1386/2SB1412/2SB1326/2SB1436. Structure Epitaxialplanartype NPNsilicontransistor

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)

2SD2166R

Low VCE(sat) Transistor(Strobe flash)

Features 1)LowVCE(sat). VCE(sat)=0.25V(Typ.) (IC/IB=4A/0.1A) 2)ExcellentDCcurrentgaincharacteristics. 3)Complementsthe 2SB1386/2SB1412/2SB1326/2SB1436. Structure Epitaxialplanartype NPNsilicontransistor

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)

2SD2167

Marking：T100；Package：MPT3；Power Transistor (31/-4V, 2A)

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)

2SD2167

Marking：T100；Package：MPT3；Power Transistor (60V, 3A)

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)

2SD2162_15

SILICON POWER TRANSISTOR

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

晶體管資料

  • 型號(hào)：

    2SD2161

  • 別名：

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

    Si-N+Darl+Di

  • 性質(zhì)：

  • 封裝形式：

    直插封裝

  • 極限工作電壓：

    100V

  • 最大電流允許值：

    5A

  • 最大工作頻率：

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù)：

    3

  • 可代換的型號(hào)：

    2SD1589,2SD1633,2SD1829,2SD1889,2SD2112,

  • 最大耗散功率：

    20W

  • 放大倍數(shù)：

    β=8000

  • 圖片代號(hào)：

    B-38

  • vtest：

    100

  • htest：

    999900

  • atest：

    5

  • wtest：

    20

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    2SD216

  • 制造商：

    NEC

  • 制造商全稱：

    NEC

  • 功能描述：

    NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS AND LOW-SPEED SWITCHING

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
NEC
17+
TO-220
31518
原裝正品 可含稅交易
 詢價(jià)
進(jìn)口廠家
23+
TO-220
6000
特價(jià)庫(kù)存
 詢價(jià)
PANASONIC
24+
60000
詢價(jià)
NEC
24+
4326
公司原廠原裝現(xiàn)貨假一罰十!特價(jià)出售!強(qiáng)勢(shì)庫(kù)存!
 詢價(jià)
NEC
24+
6540
原裝現(xiàn)貨/歡迎來(lái)電咨詢
 詢價(jià)
NEC
23+
TO-220F
900000
原廠授權(quán)代理,海外優(yōu)勢(shì)訂貨渠道?？商峁┐罅繋?kù)存,詳
 詢價(jià)
NEC
22+
TO-220
25000
只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,專注配單
 詢價(jià)
RENESAS/瑞薩
23+
TO220
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
 詢價(jià)
RENESAS/瑞薩
22+
TO220
50000
只做原裝正品,假一罰十,歡迎咨詢
 詢價(jià)
RENESAS/瑞薩
23+
NA/
592
優(yōu)勢(shì)代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票
 詢價(jià)
更多2SD216供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-4-6 14:00:00

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