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2SD2349

Silicon NPN Power Transistors

DESCRIPTION ·WithTO-3P(H)ISpackage ·Built-indamperdiode ·Highvoltage,highspeed ·Lowsaturationvoltage APPLICATIONS ·HorizontaldeflectionoutputforcolorTV

SAVANTIC

Savantic, Inc.

2SD2349

Silicon NPN Power Transistors

DESCRIPTION ·WithTO-3P(H)ISpackage ·Built-indamperdiode ·Highvoltage,highspeed ·Lowsaturationvoltage APPLICATIONS ·HorizontaldeflectionoutputforcolorTV

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

2SD2351

General Purpose Transistor (50V, 0.15A)

Features 1)HighDCcurrentgain. 2)Highemitter-basevoltage.(VCBO=12V) 3)Lowsaturationvoltage. (Typ.VCE(sat)=0.3VatIC/IB=50mA/5mA)

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)

2SD2351

MEDIUM POWER TRANSISTOR(25V, 1.2V), GENERAL PURPOSE TRANSISTOR(50V, 0.15A)

MEDIUMPOWERTRANSISTOR(25V,1.2V) GENERALPURPOSETRANSISTOR(50V,0.15A)

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)

2SD2351

General Purpose Transistor

Features ●HighDCcurrentgain. ●Highemitter-basevoltage.(VCBO=12V) ●Lowsaturationvoltage.(Typ.VCE(sat)=0.3VatIC/IB=50mA/5mA)

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信電子廣東科信實業(yè)有限公司

2SD2351

NPN 150mA 50V Muting Transistors

Features 1)HighDCcurrentgain. 2)Highemitter-basevoltage.(VCBO=12V) 3)Lowsaturationvoltage. (Typ.VCE(sat)=0.3VatIC/IB=50mA/5mA)

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)

2SD2351T106V

NPN 150mA 50V Muting Transistors

Features 1)HighDCcurrentgain. 2)Highemitter-basevoltage.(VCBO=12V) 3)Lowsaturationvoltage. (Typ.VCE(sat)=0.3VatIC/IB=50mA/5mA)

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)

2SD2351T106W

NPN 150mA 50V Muting Transistors

Features 1)HighDCcurrentgain. 2)Highemitter-basevoltage.(VCBO=12V) 3)Lowsaturationvoltage. (Typ.VCE(sat)=0.3VatIC/IB=50mA/5mA)

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)

2SD2351U3

Marking：BJ；Package：SOT-323；General Purpose Transistor (50V, 150mA)

Features 1)HighDCcurrentgain. 2)Highemitter-basevoltage.(VCBO=12V) 3)Lowsaturationvoltage. (Max.VCE(sat)=300mVatIC/IB=50mA/5mA) Application LOWFREQUENCYAMPLIFIER

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)

2SD2352

NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE (POWER AMPLIFIER APPLICATIONS)

TransistorSiliconNPNTripleDiffusedType PowerAmplifierApplications ?HighDCcurrentgain:hFE=800to3200 ?Lowcollectorsaturationvoltage:VCE(sat)=0.3V(typ.)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

晶體管資料

  • 型號：

    2SD2300

  • 別名：

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

    Si-N+Di

  • 性質(zhì)：

    絕緣 （Iso）

  • 封裝形式：

    直插封裝

  • 極限工作電壓：

    1.5KV

  • 最大電流允許值：

    5A

  • 最大工作頻率：

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù)：

    3

  • 可代換的型號：

    BU706DF,2SC4122,2SC4293,2SD1555,2SD1556,2SD1651,2SD1652,2SD1878,2SD2333,

  • 最大耗散功率：

    50W

  • 放大倍數(shù)：

  • 圖片代號：

    B-54

  • vtest：

    1500

  • htest：

    999900

  • atest：

    5

  • wtest：

    50

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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