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2SD2583中文資料思祁半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

2SD2583
廠商型號(hào)

2SD2583

功能描述

NPN Silicon Epitaxial Power Transistor

文件大小

304.8 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

5 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Thinki Semiconductor Co., Ltd.
企業(yè)簡(jiǎn)稱

THINKISEMI思祁半導(dǎo)體

中文名稱

思祁半導(dǎo)體有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-5-21 18:00:00

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2SD2583規(guī)格書(shū)詳情

FEATURES

? Low VCE(sat)

VCE(sat) = 0.15 V Max (@lC/lB = 1.0 A/50 mA)

? High DC Current Gain

hEF = 150 to 600 (@VCE = 2.0 V, lC = 1.0 A)

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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