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2SJ546-E中文資料瑞薩數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

2SJ546-E
廠商型號(hào)

2SJ546-E

功能描述

Silicon P Channel MOS FET

文件大小

88.68 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

8 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Renesas Technology Corp
企業(yè)簡(jiǎn)稱

RENESAS瑞薩

中文名稱

瑞薩科技有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-2-21 10:50:00

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2SJ546-E規(guī)格書(shū)詳情

Description

High speed power switching

Features

? Low on-resistance RDS (on) = 0.075 ? typ.

? Low drive current.

? 4 V gate drive devices.

? High speed switching.

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    2SJ546-E

  • 制造商:

    RENESAS

  • 制造商全稱:

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述:

    Silicon P Channel MOS FET

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
HIT
24+
TO-220F
20000
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TO-220F
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全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
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