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2SK3571-Z中文資料瑞薩數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

2SK3571-Z
廠商型號

2SK3571-Z

功能描述

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

文件大小

249.17 Kbytes

頁面數(shù)量

10

生產(chǎn)廠商 Renesas Technology Corp
企業(yè)簡稱

RENESAS瑞薩

中文名稱

瑞薩科技有限公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-2-16 9:12:00

2SK3571-Z規(guī)格書詳情

SWITCHING

N-CHANNEL POWER MOS FET

DESCRIPTION

The 2SK3571 is N-channel MOS FET device that features a

low on-state resistance and excellent switching characteristics,

designed for low voltage high current applications such as

DC/DC converter with synchronous rectifier.

FEATURES

?4.5V drive available.

?Low on-state resistance,

RDS(on)1 = 9.0 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 24 A)

?Low gate charge

QG = 21 nC TYP. (VDD = 16 V, VGS = 10 V, ID = 48 A)

?Built-in gate protection diode

?Surface mount device available

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
NEC
23+
TO-263
7600
全新原裝現(xiàn)貨
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NEC
2022
SOT-263
80000
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2023+
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TO-263
25000
只做原裝進口現(xiàn)貨,專注配單
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