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2SK3639中文資料瑞薩數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

2SK3639
廠商型號(hào)

2SK3639

功能描述

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

文件大小

311.68 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

9 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Renesas Technology Corp
企業(yè)簡(jiǎn)稱

RENESAS瑞薩

中文名稱

瑞薩科技有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-5-22 20:00:00

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2SK3639規(guī)格書(shū)詳情

SWITCHING

N-CHANNEL POWER MOS FET

DESCRIPTION

The 2SK3639 is N-channel MOS FET device that

features a low on-state resistance and excellent switching

characteristics, and designed for low voltage high current

applications such as DC/DC converter with synchronous

rectifier.

? Low on-state resistance

RDS(on)1 = 5.5 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 32 A)

RDS(on)2 = 8.5 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 32 A)

? Low Ciss: Ciss = 2400 pF TYP.

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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