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2SK3683-01MR

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=19A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.38Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

2SK3683-01MR

FujiPowerMOSFETSuperFAP-GseriesTargetSpecification

Features 1.Highspeedswitching 2.Lowon-resistance 3.Nosecondarybreadown 4.Lowdrivingpower 5.Avalanche-proof

FujiFuji Electric

富士電機(jī)富士電機(jī)株式會社

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    2SK3683-01MRSC-P

  • 制造商：

    Fuji Electric

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
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更多2SK3683-01MRSC-P供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-6 9:00:00

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