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2SK3878中文資料思祁半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

2SK3878
廠商型號

2SK3878

功能描述

THINKISEMI 9A,900V N-CHANNEL PLANAR STRIPE POWER MOSFETs

文件大小

1.39583 Mbytes

頁面數(shù)量

6

生產(chǎn)廠商 Thinki Semiconductor Co., Ltd.
企業(yè)簡稱

THINKISEMI思祁半導(dǎo)體

中文名稱

思祁半導(dǎo)體有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-2-11 20:00:00

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    2SK3878

  • 功能描述:

    MOSFET N-Ch FET RDS 1.0 Ohm IDSS 100uA VDS 720V

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

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