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STB35N60DM2

Extremelylowgatechargeandinputcapacitance

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

STF35N60DM2

Extremelyhighdv/dtruggedness

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

STP35N60DM2

Extremelyhighdv/dtruggedness

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

STW35N60DM2

Extremelyhighdv/dtruggedness

Description ThishighvoltageN-channelPowerMOSFETis partoftheMDmesh?DM2fastrecoverydiode series.Itoffersverylowrecoverycharge(Qrr) andtime(trr)combinedwithlowRDS(on),rendering itsuitableforthemostdemandinghighefficiency convertersandidealforbridgetopologi

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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更多35N60DM2供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-3-21 10:34:00