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RT3C66M

DualTransistorForDifferentialAmplifyApplicationSiliconNpnEpitaxialType

DESCRIPTION RT3C66MisasilliconNPNepitaxialtypedualtransistor.Itisdesignedfordifferentialamplifyapplication. FEATURE ●HighVceoVceo=160V ●Goodtwoelementscharacteristics hFE1/hFE2=1.0typ |VBE1-VBE2|=2mVtyp APPLICATION Fordifferentialamplifyapplication.

ISAHAYAIsahaya Electronics Corporation

諫早電子諫早電子株式會(huì)社

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更多3C66WG供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-3-20 17:46:00