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3DD101B中文資料無錫固電數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

3DD101B
廠商型號

3DD101B

功能描述

Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V(BR)CEO= 150V(Min.)

文件大小

191.04 Kbytes

頁面數(shù)量

2

生產(chǎn)廠商 Inchange Semiconductor Company Limited
企業(yè)簡稱

ISC無錫固電

中文名稱

無錫固電半導體股份有限公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-2-23 11:42:00

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晶體管資料

  • 型號:

    3DD101B

  • 別名:

    3DD101B三極管、3DD101B晶體管、3DD101B晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性質(zhì):

    行輸出 (HA)_場輸出 (VA)

  • 封裝形式:

    直插封裝

  • 極限工作電壓:

    200V

  • 最大電流允許值:

    2A

  • 最大工作頻率:

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù):

    2

  • 可代換的型號:

  • 最大耗散功率:

    50W

  • 放大倍數(shù):

  • 圖片代號:

    E-44

  • vtest:

    200

  • htest:

    999900

  • atest:

    2

  • wtest:

    50

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