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IMBG40R015M2H

Marking：40R015M2；Package：PG-TO263-7；CoolSiC? 400V CoolSiC? G2 MOSFET

Features ?Idealforhighfrequencyswitchingandsynchronousrectification ?CommutationrobustfastbodydiodewithlowQfr ?LowRDS(on)dependencyontemperature ?Benchmarkgatethresholdvoltage,VGS(th)=4.5V ?Recommendedgatedrivingvoltage0Vto18V ?.XTinterconnectiontechn

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IMBG40R025M2H

Marking：40R025M2；Package：PG-TO263-7；CoolSiC? 400V CoolSiC? G2 MOSFET

Features ?Idealforhighfrequencyswitchingandsynchronousrectification ?CommutationrobustfastbodydiodewithlowQfr ?LowRDS(on)dependencyontemperature ?Benchmarkgatethresholdvoltage,VGS(th)=4.5V ?Recommendedgatedrivingvoltage0Vto18V ?.XTinterconnectiontechn

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IMBG40R036M2H

Marking：40R036M2；Package：PG-TO263-7；CoolSiC? 400V CoolSiC? G2 MOSFET

Features ?Idealforhighfrequencyswitchingandsynchronousrectification ?CommutationrobustfastbodydiodewithlowQfr ?LowRDS(on)dependencyontemperature ?Benchmarkgatethresholdvoltage,VGS(th)=4.5V ?Recommendedgatedrivingvoltage0Vto18V ?.XTinterconnectiontechn

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IMBG40R045M2H

Marking：40R045M2；Package：PG-TO263-7；CoolSiC? 400V CoolSiC? G2 MOSFET

Features ?Idealforhighfrequencyswitchingandsynchronousrectification ?CommutationrobustfastbodydiodewithlowQfr ?LowRDS(on)dependencyontemperature ?Benchmarkgatethresholdvoltage,VGS(th)=4.5V ?Recommendedgatedrivingvoltage0Vto18V ?.XTinterconnectiontechn

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IMT40R011M2H

Marking：40R011M2；Package：PG-HSOF-8；CoolSiC? 400V CoolSiC? G2 MOSFET

Features ?Idealforhighfrequencyswitchingandsynchronousrectification ?CommutationrobustfastbodydiodewithlowQfr ?LowRDS(on)dependencyontemperature ?Benchmarkgatethresholdvoltage,VGS(th)=4.5V ?Recommendedgatedrivingvoltage0Vto18V ?.XTinterconnectiontechn

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IMT40R015M2H

Marking：40R015M2；Package：PG-HSOF-8；CoolSiC? 400V CoolSiC? G2 MOSFET

Features ?Idealforhighfrequencyswitchingandsynchronousrectification ?CommutationrobustfastbodydiodewithlowQfr ?LowRDS(on)dependencyontemperature ?Benchmarkgatethresholdvoltage,VGS(th)=4.5V ?Recommendedgatedrivingvoltage0Vto18V ?.XTinterconnectiontechn

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IMT40R025M2H

Marking：40R025M2；Package：PG-HSOF-8；CoolSiC? 400V CoolSiC? G2 MOSFET

Features ?Idealforhighfrequencyswitchingandsynchronousrectification ?CommutationrobustfastbodydiodewithlowQfr ?LowRDS(on)dependencyontemperature ?Benchmarkgatethresholdvoltage,VGS(th)=4.5V ?Recommendedgatedrivingvoltage0Vto18V ?.XTinterconnectiontechn

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IMT40R036M2H

Marking：40R036M2；Package：PG-HSOF-8；CoolSiC? 400V CoolSiC? G2 MOSFET

Features ?Idealforhighfrequencyswitchingandsynchronousrectification ?CommutationrobustfastbodydiodewithlowQfr ?LowRDS(on)dependencyontemperature ?Benchmarkgatethresholdvoltage,VGS(th)=4.5V ?Recommendedgatedrivingvoltage0Vto18V ?.XTinterconnectiontechn

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IMT40R045M2H

Marking：40R045M2；Package：PG-HSOF-8；CoolSiC? 400V CoolSiC? G2 MOSFET

Features ?Idealforhighfrequencyswitchingandsynchronousrectification ?CommutationrobustfastbodydiodewithlowQfr ?LowRDS(on)dependencyontemperature ?Benchmarkgatethresholdvoltage,VGS(th)=4.5V ?Recommendedgatedrivingvoltage0Vto18V ?.XTinterconnectiontechn

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IPD40DP06NM

Marking：40DP06NM；Package：PG-TO252-3；MOSFET OptiMOSTM Power Transistor, -60 V

Features ?P-Channel ?Verylowon-resistanceRDS(on) ?100avalanchetested ?NormalLevel ?Enhancementmode ?Pb-freeleadplating;RoHScompliant ?Halogen-freeaccordingtoIEC61249-2-21

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替換型號

晶體管資料

  • 型號：

    40004

  • 別名：

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

    Ge-PNP

  • 性質(zhì)：

    射頻/高頻放大 （HF）

  • 封裝形式：

    直插封裝

  • 極限工作電壓：

    40V

  • 最大電流允許值：

    0.01A

  • 最大工作頻率：

    30MHZ

  • 引腳數(shù)：

    3

  • 可代換的型號：

    AF124,AF125,AF126,AF127,AF200,

  • 最大耗散功率：

  • 放大倍數(shù)：

  • 圖片代號：

    C-39

  • vtest：

    40

  • htest：

    30000000

  • atest：

    0.01

  • wtest：

    0

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    40

  • 制造商：

    3M

  • 類別：

    膠帶，粘合劑，材料 > 膠帶

  • 包裝：

    散裝

  • 膠帶類型：

    抗靜電

  • 粘合劑：

    丙烯酸

  • 底布，載體：

    聚酯薄膜

  • 厚度：

    0.0022"（2.2 mils，0.056mm）

  • 寬度：

    0.50"（12.70mm）1/2"

  • 長度：

    216'（66.0m）72 碼

  • 顏色：

    透明

  • 應(yīng)用：

    抗靜電

  • 描述：

    TAPE ANTISTATIC CLR 1/2\

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