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PN4356

PNPGeneralPurposeAmplifier

PNPGeneralPurposeAmplifier Thisdeviceisdesignedforuseasgeneralpurposeamplifiersandswitchesrequiringcollectorcurrentsto500mA.SourcedfromProcess67.SeeTN4033Aforcharacteristics.

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

PN4356

PNPSILICONTRANSISTORGENERALPURPOSEPOWER

CentralCentral Semiconductor Corp

美國中央半導(dǎo)體

SFH4356

InfraredEmitter(850nm)

OSRAMOSRAM GmbH

艾邁斯歐司朗歐司朗光電半導(dǎo)體

SFH-4356

InfraredEmitter

OSRAMOSRAM GmbH

艾邁斯歐司朗歐司朗光電半導(dǎo)體

SFH4356P

InfraredEmitter(850nm)

OSRAMOSRAM GmbH

艾邁斯歐司朗歐司朗光電半導(dǎo)體

SFH-4356P

InfraredEmitter

OSRAMOSRAM GmbH

艾邁斯歐司朗歐司朗光電半導(dǎo)體

SI4356

Pinconfigurable

SILABS

Silicon Laboratories

SI4356ADY

N-Channel30-V(D-S)MOSFET

VAISH

Vaishali Semiconductor

SI4356-DK

ReceivernodeisaswitchconfigurableSi4356demoboard

SILABS

Silicon Laboratories

SI4356DY

N-Channel30-VMOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    4356B

  • 制造商：

    L3 Narda-MITEQ

  • 類別：

    RF/IF，射頻/中頻和 RFID > RF 定向耦合器

  • 包裝：

    盒

  • 耦合器類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 頻率：

    2GHz ~ 18GHz

  • 耦合系數(shù)：

    3dB

  • 應(yīng)用：

    通用

  • 插損：

    1dB

  • 功率 - 最大值：

    30W

  • 隔離：

    20dB

  • 封裝/外殼：

    模塊，SMA 連接器

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    模塊

  • 描述：

    HYBRID ASSY, 90DEGREE

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
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更多4356B供應(yīng)商 更新時(shí)間2021-9-14 10:50:00

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