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FQP4N25

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=3.6A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=250V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=1.75Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

FQPF4N25

250VN-ChannelMOSFET

GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproductusingFairchildsproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancetechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstan

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

FQT4N25

250VN-ChannelMOSFET

Description ThisN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductor?’sproprietaryplanarstripeandDMOStechnology.ThisadvancedMOSFETtechnologyhasbeenespeciallytailoredtoreduceon-stateresistance,andtoprovidesuperiorswitchingperformanceandhigha

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

FQT4N25TF

N-ChannelQFET?MOSFET

Description ThisN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductor?’sproprietaryplanarstripeandDMOStechnology.ThisadvancedMOSFETtechnologyhasbeenespeciallytailoredtoreduceon-stateresistance,andtoprovidesuperiorswitchingperformanceandhigha

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

FQU4N25

N-ChannelQFETMOSFET

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

FQU4N25

250VN-ChannelMOSFET

Features ?3.0A,250V,RDS(on)=1.75?(Max)@VGS=10V ?Lowgatecharge(Typ.4.3nC) ?LowCrss(Typ.4.8pF) ?Fastswitching ?100avalanchetested ?Improveddv/dtcapability

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

FQU4N25

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=3.0A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=250V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=1.75Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

K4N25

Photocoupler(ThesePhotocouplersconsistofaGalliumArsenideInfraredEmitting)

Photocoupler ThesePhotocouplersconsistofaGalliumArsenideInfraredEmittingDiodeandaSiliconNPNPhototransistorina6-pinpackage. FEATURES ?SwitchingTime-Typ.3? ?Collector-EmitterVoltage:Min.30V ?CurrentTransferRatio:Typ.100(atIF=10mA,VCE=10V) ?El

KODENSHIKODENSHI_AUK CORP.

可天士可天士光電子集團

K4N25A

Photocoupler(ThesePhotocouplersconsistofaGalliumArsenideInfraredEmitting)

Photocoupler ThesePhotocouplersconsistofaGalliumArsenideInfraredEmittingDiodeandaSiliconNPNPhototransistorina6-pinpackage. FEATURES ?SwitchingTime-Typ.3? ?Collector-EmitterVoltage:Min.30V ?CurrentTransferRatio:Typ.100(atIF=10mA,VCE=10V) ?El

KODENSHIKODENSHI_AUK CORP.

可天士可天士光電子集團

K4N25G

Photocoupler(ThesePhotocouplerscosistofaGalliumArsenideInfraredEmitting)

Photocoupler ThesePhotocouplerscosistofaGalliumArsenideInfraredEmittingDiodeandaSiliconNPNPhototransistorina6-pinpackage. FEATURES ?TTLCompatibleOutput ?Collector-EmitterVoltage:Min.50V ?CurrentTransferRatio:Typ.100(atIF=5mA,VCE=5V) ?Electric

KODENSHIKODENSHI_AUK CORP.

可天士可天士光電子集團

詳細參數(shù)

  • 型號：

    4N25TVM

  • 功能描述：

    晶體管輸出光電耦合器 Optocoupler Phototransistor

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Vishay Semiconductors

  • 輸入類型：

    DC

  • 最大集電極/發(fā)射極電壓：

    70 V

  • 最大集電極/發(fā)射極飽和電壓：

    0.4 V

  • 絕緣電壓：

    5300 Vrms

  • 電流傳遞比：

    100 % to 200 %

  • 最大正向二極管電壓：

    1.65 V

  • 最大輸入二極管電流：

    60 mA

  • 最大集電極電流：

    100 mA

  • 最大功率耗散：

    100 mW

  • 最大工作溫度：

    + 110 C

  • 最小工作溫度：

    - 55 C

  • 封裝/箱體：

    DIP-4

  • 封裝：

    Bulk

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
onsemi(安森美)
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DIP-6
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25000
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更多4N25TVM供應(yīng)商 更新時間2025-4-26 16:12:00

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