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K4N35

Photocoupler(ThesePhotocouplersconsistofaGalliumArsenideInfraredEmitting)

ThesePhotocouplersconsistofaGalliumArsenideInfraredEmittingDiodeandaSiliconNPNPhototransistorin6-pinpackage. FEATURES ?SwitchingTime-Typ.3ms ?Collector-EmitterVoltage:Min.30V ?CurrentTransferRatio:Typ.100(atIF=10mA,VCE=10V) ?ElectricalIsolation

KODENSHIKODENSHI_AUK CORP.

可天士可天士光電子集團(tuán)

LTV4N35

PropertyofLite-OnOnly

Features ?Highcurrenttransferratio(CTR:MIN.100atIF=10mA,VCE=10V) ?Responsetime(ton:TYP,3satVCE=10V,IC=2mA,RL=100) ?Input-outputisolationvoltage: LTV-4N35(Viso:3,550Vrms) LTV-4N37(Viso:1,550Vrms) ?ULapproved(No.E113898) ?TUVapproved(No.R9653630) ?

LITEONLite-On Technology Corporation

光寶科技光寶科技股份有限公司

LTV-4N35

PropertyofLite-OnOnly

Features ?Highcurrenttransferratio(CTR:MIN.100atIF=10mA,VCE=10V) ?Responsetime(ton:TYP,3satVCE=10V,IC=2mA,RL=100) ?Input-outputisolationvoltage: LTV-4N35(Viso:3,550Vrms) LTV-4N37(Viso:1,550Vrms) ?ULapproved(No.E113898) ?TUVapproved(No.R9653630) ?

LITEONLite-On Technology Corporation

光寶科技光寶科技股份有限公司

LTV-4N35M

PropertyofLite-OnOnly

Features ?Highcurrenttransferratio(CTR:MIN.100atIF=10mA,VCE=10V) ?Responsetime(ton:TYP,3satVCE=10V,IC=2mA,RL=100) ?Input-outputisolationvoltage: LTV-4N35(Viso:3,550Vrms) LTV-4N37(Viso:1,550Vrms) ?ULapproved(No.E113898) ?TUVapproved(No.R9653630) ?

LITEONLite-On Technology Corporation

光寶科技光寶科技股份有限公司

LTV-4N35S

PropertyofLite-OnOnly

Features ?Highcurrenttransferratio(CTR:MIN.100atIF=10mA,VCE=10V) ?Responsetime(ton:TYP,3satVCE=10V,IC=2mA,RL=100) ?Input-outputisolationvoltage: LTV-4N35(Viso:3,550Vrms) LTV-4N37(Viso:1,550Vrms) ?ULapproved(No.E113898) ?TUVapproved(No.R9653630) ?

LITEONLite-On Technology Corporation

光寶科技光寶科技股份有限公司

LTV-4N35S-TA

PropertyofLite-OnOnly

Features ?Highcurrenttransferratio(CTR:MIN.100atIF=10mA,VCE=10V) ?Responsetime(ton:TYP,3satVCE=10V,IC=2mA,RL=100) ?Input-outputisolationvoltage: LTV-4N35(Viso:3,550Vrms) LTV-4N37(Viso:1,550Vrms) ?ULapproved(No.E113898) ?TUVapproved(No.R9653630) ?

LITEONLite-On Technology Corporation

光寶科技光寶科技股份有限公司

MTP4N35

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=4A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=350V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=1.5Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

OPIA4N35

SMDandSOPPackages

TTELECTT Electronics.

TT電子公司梯梯電子集成制造服務(wù)(蘇州)有限公司

PC4N35V

GENERALPURPOSETYPEPHOTOCOUPLER

SHARPSharp Microelectronics of the Americas (SMA)

夏普微美國(guó)夏普微電子公司（SMA）

RFM4N35

4A,350Vand400V,2.000Ohm,N-ChannelPowerMOSFETs

TheseareN-channelenhancement-modesilicon-gatepowerfieldeffecttransistorsdesignedforapplicationssuchasswitchingregulators,switchingconverters,motordrivers,relaydrivers,anddriversforhighpowerbipolarswitchingtransistorsrequiringhighspeedandlowgate-drivepower.These

Intersil

Intersil Corporation

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    4N35GV

  • 功能描述：

    晶體管輸出光電耦合器 Phototransistor Out Single CTR >100%

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Vishay Semiconductors

  • 輸入類型：

    DC

  • 最大集電極/發(fā)射極電壓：

    70 V

  • 最大集電極/發(fā)射極飽和電壓：

    0.4 V

  • 絕緣電壓：

    5300 Vrms

  • 電流傳遞比：

    100 % to 200 %

  • 最大正向二極管電壓：

    1.65 V

  • 最大輸入二極管電流：

    60 mA

  • 最大集電極電流：

    100 mA

  • 最大功率耗散：

    100 mW

  • 最大工作溫度：

    + 110 C

  • 最小工作溫度：

    - 55 C

  • 封裝/箱體：

    DIP-4

  • 封裝：

    Bulk

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
TEMIC
24+
DIP-6
60
詢價(jià)
TEMIC
2022+
11
全新原裝 貨期兩周
 詢價(jià)
VISHAY/威世
02+
DIP-6
30
就找我吧!--邀您體驗(yàn)愉快問(wèn)購(gòu)元件!
 詢價(jià)
VISHAY/威世
21+
DIP-6
8000
全新原裝 公司現(xiàn)貨 價(jià)格優(yōu)
 詢價(jià)
VISHAY/威世
23+
DIP-6
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
 詢價(jià)
VISHAY/威世
23+
DIP6
10880
原裝正品，支持實(shí)單
 詢價(jià)
FSC
23+
DIP-6
3880
正品原裝貨價(jià)格低
 詢價(jià)
QTC
2023+
SOP-6
58000
進(jìn)口原裝,現(xiàn)貨熱賣
 詢價(jià)
VISHAY/威世
23+
NA/
3280
原裝現(xiàn)貨,當(dāng)天可交貨,原型號(hào)開(kāi)票
 詢價(jià)
VISHAY/威世
2223+
DIP-6
26800
只做原裝正品假一賠十為客戶做到零風(fēng)險(xiǎn)
 詢價(jià)
更多4N35GV供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-4-7 10:50:00

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