4N35V中文資料威世科技數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
4N35V規(guī)格書詳情
Description
The 4N25(G)V/ 4N35(G)V series consists of a photo transistor optically coupled to a gallium arsenide infrared-emitting diode in a 6-lead plastic dual inline package.
The elements are mounted on one leadframe using a coplanar technique, providing a fixed distance between input and output for highest safety requirements.
Applications
Circuits for safe protective separation against electrical shock according to safety class II (reinforced isolation):
For appl. class I – IV at mains voltage ≤ 300 V
For appl. class I – III at mains voltage ≤ 600 V
? according to VDE 0884, table 2, suitable for:
產(chǎn)品屬性
- 型號：
4N35V
- 功能描述：
晶體管輸出光電耦合器 Phototransistor Out Single CTR >100%
- RoHS：
否
- 制造商：
Vishay Semiconductors
- 輸入類型：
DC
- 最大集電極/發(fā)射極電壓：
70 V
- 最大集電極/發(fā)射極飽和電壓：
0.4 V
- 絕緣電壓：
5300 Vrms
- 電流傳遞比：
100 % to 200 %
- 最大正向二極管電壓：
1.65 V
- 最大輸入二極管電流：
60 mA
- 最大集電極電流：
100 mA
- 最大功率耗散：
100 mW
- 最大工作溫度：
+ 110 C
- 最小工作溫度：
- 55 C
- 封裝/箱體：
DIP-4
- 封裝：
Bulk
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY/威世 |
24+ |
NA/ |
423 |
優(yōu)勢代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票 |
詢價 | ||
onsemi(安森美) |
24+ |
DIP6 |
7350 |
現(xiàn)貨供應,當天可交貨!免費送樣,原廠技術支持!!! |
詢價 | ||
VISHAY |
24+ |
DIP-6 |
20 |
詢價 | |||
ON/ |
24+ |
DIP6 |
5000 |
全新原裝正品,現(xiàn)貨銷售 |
詢價 | ||
ON/安森美 |
25+ |
NA |
860000 |
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
onsemi |
23+/24+ |
6-DIP |
8600 |
只供原裝進口公司現(xiàn)貨+可訂貨 |
詢價 | ||
ON/安森美 |
22+ |
DIP |
14100 |
原裝正品 |
詢價 | ||
三年內(nèi) |
1983 |
只做原裝正品 |
詢價 | ||||
ON SEMICONDUCTOR |
2022+ |
原廠原包裝 |
8600 |
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨立分銷 |
詢價 | ||
ON/安森美 |
23+ |
SMD |
8000 |
專注配單,只做原裝進口現(xiàn)貨 |
詢價 |
