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4N37中文資料友臺(tái)半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

4N37
廠商型號(hào)

4N37

功能描述

The 4N25, 4N26, 4N27, 4N28, 4N35, 4N36, 4N37, 4N38 series combine an AlGaAs infrared emitting diode as the emitter which is optically coupled to a silicon planar phototransistor detector in a plastic DIP6 package with different lead forming options.

絲印標(biāo)識(shí)

UMW

封裝外殼

DIP-6

文件大小

905.19 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商 Guangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd.
企業(yè)簡(jiǎn)稱

UMW友臺(tái)半導(dǎo)體

中文名稱

廣東友臺(tái)半導(dǎo)體有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-5-4 23:12:00

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4N37規(guī)格書詳情

Features

* High isolation 5000 VRMS

* DC input with transistor output

* Operating temperature range - 55 °C to 110 °C

* RoHS & REACH Compliance

* MSL class 1

* UL-approved: UL1577, File No.E492440

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    4N37

  • 功能描述:

    晶體管輸出光電耦合器 Phototransistor Out

  • RoHS:

  • 制造商:

    Vishay Semiconductors

  • 輸入類型:

    DC

  • 最大集電極/發(fā)射極電壓:

    70 V

  • 最大集電極/發(fā)射極飽和電壓:

    0.4 V

  • 絕緣電壓:

    5300 Vrms

  • 電流傳遞比:

    100 % to 200 %

  • 最大正向二極管電壓:

    1.65 V

  • 最大輸入二極管電流:

    60 mA

  • 最大集電極電流:

    100 mA

  • 最大功率耗散:

    100 mW

  • 最大工作溫度:

    + 110 C

  • 最小工作溫度:

    - 55 C

  • 封裝/箱體:

    DIP-4

  • 封裝:

    Bulk

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
三年內(nèi)
1983
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