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ESD05V26T-4LC

Marking：56D；Package：SOT-26；Transient Voltage Suppressors for ESD Protection

Feature 225WattsPeakPulsePowerperLine(tp=8/20μs) ProtectsFourUnidirectionalI/Oline Lowclampingvoltage Workingvoltage:5.0V Lowleakagecurrent IEC61000-4-2(ESD)±25kV(air),±15kV(contact) IEC61000-4-4(EFT)40A(5/50ηs) IEC61000-4-5(LIGHTING)9A(8/20μs) Applications

UNSEMIUN Semiconducctor INC

優(yōu)恩半導(dǎo)體深圳市優(yōu)恩半導(dǎo)體有限公司

FDC5614P

Marking：564P；Package：SOT23-6；60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

Application ●DC-DCConverters. ●LoadSwitch. ●PowerManagement.

TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD

臺(tái)舟電子臺(tái)舟電子股份有限公司

FDN5630

Marking：5630；Package：SOT-23；60V N-Channel PowerTrench MOSFET

GeneralDescription ThisN-ChannelMOSFEThasbeendesignedspecificallytoimprovetheoverallefficiencyofDC/DCconvertersusingeithersynchronousorconventionalswitchingPWMcontrollers. ThisMOSFETfeaturesverylowRDS(ON)inasmallSOT23footprint.Fairchild’sPowerTrenchtechnol

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

FDN5630

Marking：5630；Package：SOT-23；N-Channel 60-V (D-S) MOSFET

APPLICATIONS ?BatterySwitch ?DC/DCConverter

EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED

翊歐翊歐半導(dǎo)體

FDN5632N-F085

Marking：5632；Package：SSOT3；N-Channel Logic Level PowerTrench? MOSFET 60 V, 1.6 A, 98 m廓

Features -RDS(on)=98mΩatVGS=4.5V,ID=1.6A -RDS(on)=82mΩatVGS=10V,ID=1.7A -TypQg(TOT)=9.2nCatVGS=10V -LowMillerCharge -UISCapability -QualifiedtoAECQ101 -RoHSCompliant Applications -DC/DCconverter -MotorDrives

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

FMMT560QTA

Marking：560；Package：SOT23；500V PNP HIGH VOLTAGE TRANSISTOR IN SOT23

Features BVCEO>-500V IC=-150mAhighContinuousCollectorCurrent ICMUpto-500mAPeakPulseCurrent ExcellenthFECharacteristicsuptoIC=-100mA TotallyLead-Free&FullyRoHScompliant(Notes1&2) HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) TheFMMT560Qissuitableforaut

DIODES

Diodes Incorporated

FMMT560QTC

Marking：560；Package：SOT23；500V PNP HIGH VOLTAGE TRANSISTOR IN SOT23

Features BVCEO>-500V IC=-150mAhighContinuousCollectorCurrent ICMUpto-500mAPeakPulseCurrent ExcellenthFECharacteristicsuptoIC=-100mA TotallyLead-Free&FullyRoHScompliant(Notes1&2) HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) TheFMMT560Qissuitableforaut

DIODES

Diodes Incorporated

FSB560

Marking：560；Package：SSOT-3L；PN Low-Saturation Transistor

Features ?Thesedevicesaredesignedwithhigh-currentgainandlow-saturation voltagewithcollectorcurrentsupto2Acontinuous.

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

FSB560A

Marking：560A；Package：SSOT-3L；PN Low-Saturation Transistor

Features ?Thesedevicesaredesignedwithhigh-currentgainandlow-saturation voltagewithcollectorcurrentsupto2Acontinuous.

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

ISZ56DP15LM

Marking：56DP15L；Package：PG-TSDSON-8FL；OptiMOSTM Power-Transistor, -150 V

Features ?P-channel,logiclevel ?Optimizedforhighandlowswitchingfrequency ?Superiorthermalresistance ?100avalanchetested ?Pb-freeleadplating;RoHScompliant ?Halogen-freeaccordingtoIEC61249-2-21

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

替換型號(hào)

晶體管資料

  • 型號(hào)：

    563BSY

  • 別名：

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

    Si-PNP

  • 性質(zhì)：

    通用型 （Uni）

  • 封裝形式：

    貼片封裝

  • 極限工作電壓：

    110V

  • 最大電流允許值：

    0.1A

  • 最大工作頻率：

    85MHZ

  • 引腳數(shù)：

    3

  • 可代換的型號(hào)：

    BSS63,

  • 最大耗散功率：

  • 放大倍數(shù)：

  • 圖片代號(hào)：

    H-15

  • vtest：

    110

  • htest：

    85000000

  • atest：

    0.1

  • wtest：

    0

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    56

  • 制造商：

    Gedore Tools, Inc.

  • 類別：

    工具 > 套筒，套筒手柄

  • 包裝：

    散裝

  • 工具類型：

    插口

  • 尖頭 - 類型：

    六角形

  • 尺寸：

    18mm

  • 驅(qū)動(dòng)桿尺寸：

    3/8"

  • 長(zhǎng)度：

    2.50"（63.5mm）

  • 特性：

    表面鍍鉻處理

  • 描述：

    SPARK PLUG SOCKET WITH SPRING

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
VCC/CML
新
5
全新原裝 貨期兩周
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Cinch
2022+
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全新原裝 貨期兩周
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更多56供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-4-7 16:06:00

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