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H5N2509P

SiliconNChannelMOSFETHighSpeedPowerSwitching

Features ?Lowon-resistance:RDS(on)=0.053?typ. ?Lowleakagecurrent:IDSS=1μAmax(atVDS=250V,VGS=0V) ?Highspeedswitching:tf=110nstyp(atID=15A,RL=8.3?,VGS=10V) ?Lowgatecharge:Qg=110nCtyp(atVDD=200V,VGS=10V,ID=30A) ?Avalancheratin

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

H5N2509P

SILICONNCHANNELMOSFETSWITCHING

SILICONNCHANNELMOSFETSWITCHING)

HitachiHitachi Semiconductor

日立日立公司

H5N2509P

PowerMOSFETsandIGBTforPDP

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

H5N2509P-E

SiliconNChannelMOSFETHighSpeedPowerSwitching

Features ?Lowon-resistance:RDS(on)=0.053?typ. ?Lowleakagecurrent:IDSS=1μAmax(atVDS=250V,VGS=0V) ?Highspeedswitching:tf=110nstyp(atID=15A,RL=8.3?,VGS=10V) ?Lowgatecharge:Qg=110nCtyp(atVDD=200V,VGS=10V,ID=30A) ?Avalancheratin

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

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更多5N2509供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-3-24 15:44:00