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600F8R2BT250XT電容器的陶瓷電容器規(guī)格書PDF中文資料

600F8R2BT250XT
廠商型號

600F8R2BT250XT

參數(shù)屬性

600F8R2BT250XT 封裝/外殼為0805(2012 公制);包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為電容器的陶瓷電容器;600F8R2BT250XT應用范圍:射頻,微波,高頻,旁通,去耦;產(chǎn)品描述:CAP CER 8.2PF 250V C0G/NP0 0805

功能描述

RF Power GaN Transistor

封裝外殼

0805(2012 公制)

文件大小

344.75 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商 NXP Semiconductors
企業(yè)簡稱

nxp恩智浦

中文名稱

恩智浦半導體公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-2-23 9:22:00

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    600F8R2BT250XT

  • 制造商:

    American Technical Ceramics

  • 類別:

    電容器 > 陶瓷電容器

  • 系列:

    ATC 600F

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 容差:

    ±0.1pF

  • 電壓 - 額定:

    250V

  • 溫度系數(shù):

    C0G,NP0

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 125°C

  • 特性:

    高 Q 值,低損耗,超低 ESR

  • 應用:

    射頻,微波,高頻,旁通,去耦

  • 安裝類型:

    表面貼裝,MLCC

  • 封裝/外殼:

    0805(2012 公制)

  • 大小 / 尺寸:

    0.079" 長 x 0.049" 寬(2.01mm x 1.24mm)

  • 厚度(最大值):

    0.051"(1.30mm)

  • 描述:

    CAP CER 8.2PF 250V C0G/NP0 0805

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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