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71V3556SA100BQG	文件：337.62 Kbytes Page：29 Pages	128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs Features ◆128Kx36,256Kx18memoryconfigurations ◆Supportshighperformancesystemspeed-166MHz(x36) (3.5nsClock-to-DataAccess) ◆ZBTTMFeature-Nodeadcyclesbetweenwriteandread cycles ◆Internallysynchronizedoutputbufferenableeliminatesthe needtocontrolOE ◆Pos	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
71V3556SA100BQG	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：165-TBGA；包裝：托盤(pán) 類(lèi)別：集成電路（IC）存儲(chǔ)器描述：IC SRAM 4.5MBIT PAR 165CABGA	Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc	Renesas Electronics America Inc
71V3556SA100BQG8	文件：337.62 Kbytes Page：29 Pages	128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs Features ◆128Kx36,256Kx18memoryconfigurations ◆Supportshighperformancesystemspeed-166MHz(x36) (3.5nsClock-to-DataAccess) ◆ZBTTMFeature-Nodeadcyclesbetweenwriteandread cycles ◆Internallysynchronizedoutputbufferenableeliminatesthe needtocontrolOE ◆Pos	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
71V3556SA100BQGI	文件：337.62 Kbytes Page：29 Pages	128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs Features ◆128Kx36,256Kx18memoryconfigurations ◆Supportshighperformancesystemspeed-166MHz(x36) (3.5nsClock-to-DataAccess) ◆ZBTTMFeature-Nodeadcyclesbetweenwriteandread cycles ◆Internallysynchronizedoutputbufferenableeliminatesthe needtocontrolOE ◆Pos	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
71V3556SA100BQGI8	文件：337.62 Kbytes Page：29 Pages	128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs Features ◆128Kx36,256Kx18memoryconfigurations ◆Supportshighperformancesystemspeed-166MHz(x36) (3.5nsClock-to-DataAccess) ◆ZBTTMFeature-Nodeadcyclesbetweenwriteandread cycles ◆Internallysynchronizedoutputbufferenableeliminatesthe needtocontrolOE ◆Pos	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
71V3556SA100BQGI	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：165-TBGA；包裝：卷帶（TR）類(lèi)別：集成電路（IC）存儲(chǔ)器描述：IC SRAM 4.5MBIT PAR 165CABGA	Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc	Renesas Electronics America Inc
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71V3556SA100BG	文件：337.62 Kbytes Page：29 Pages	128Kx36,256Kx183.3VSynchronousZBTSRAMs3.3VI/O,BurstCounterPipelinedOutputs Features ◆128Kx36,256Kx18memoryconfigurations ◆Supportshighperformancesystemspeed-166MHz(x36) (3.5nsClock-to-DataAccess) ◆ZBTTMFeature-Nodeadcyclesbetweenwriteandread cycles ◆Internallysynchronizedoutputbufferenableeliminatesthe needtocontrolOE ◆Pos	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
71V3556SA100BGG	文件：337.62 Kbytes Page：29 Pages	128Kx36,256Kx183.3VSynchronousZBTSRAMs3.3VI/O,BurstCounterPipelinedOutputs Features ◆128Kx36,256Kx18memoryconfigurations ◆Supportshighperformancesystemspeed-166MHz(x36) (3.5nsClock-to-DataAccess) ◆ZBTTMFeature-Nodeadcyclesbetweenwriteandread cycles ◆Internallysynchronizedoutputbufferenableeliminatesthe needtocontrolOE ◆Pos	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
71V3556SA100BGGI	文件：337.62 Kbytes Page：29 Pages	128Kx36,256Kx183.3VSynchronousZBTSRAMs3.3VI/O,BurstCounterPipelinedOutputs Features ◆128Kx36,256Kx18memoryconfigurations ◆Supportshighperformancesystemspeed-166MHz(x36) (3.5nsClock-to-DataAccess) ◆ZBTTMFeature-Nodeadcyclesbetweenwriteandread cycles ◆Internallysynchronizedoutputbufferenableeliminatesthe needtocontrolOE ◆Pos	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS

產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品編號(hào)：
71V3556SA100BQG
制造商：
Renesas Electronics America Inc
類(lèi)別：
集成電路（IC） > 存儲(chǔ)器
包裝：
托盤(pán)
存儲(chǔ)器類(lèi)型：
易失
存儲(chǔ)器格式：
SRAM
技術(shù)：
SRAM - 同步，SDR（ZBT）
存儲(chǔ)容量：
4.5Mb（128K x 36）
存儲(chǔ)器接口：
并聯(lián)
電壓 - 供電：
3.135V ~ 3.465V
工作溫度：
0°C ~ 70°C（TA）
安裝類(lèi)型：
表面貼裝型
封裝/外殼：
165-TBGA
供應(yīng)商器件封裝：
165-CABGA（13x15）
描述：
IC SRAM 4.5MBIT PAR 165CABGA

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
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