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IRF7406PBF	文件：235.41 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET?PowerMOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,p	IRF International Rectifier	IRF
IRF7406PBF	文件：215.79 Kbytes Page：8 Pages	GenerationVTechnology	IRF International Rectifier	IRF
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IRF7406TR	文件：380.51 Kbytes Page：8 Pages	P-Channel30V(D-S)MOSFET Description TheSOP-8hasbeenmodifiedthroughacustomizedleadframe forenhancedthermacharacteristicsandmultiple-diecapability makingitidealinavarietyofpowerapplications.Withthese improvementsmultipledevicescanbeusedinanapplication withdramaticallyreducedboardspa	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊歐翊歐半導(dǎo)體	EVVOSEMI

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