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IRF7406GPBF	文件：268.39 Kbytes Page：9 Pages	UltraLowOn-Resistance	IRF International Rectifier	IRF
IRF7406PBF	文件：235.41 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET?PowerMOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,p	IRF International Rectifier	IRF
IRF7406PBF	文件：215.79 Kbytes Page：8 Pages	GenerationVTechnology	IRF International Rectifier	IRF
IRF7406PBF	文件：240.98 Kbytes Page：9 Pages	ULTARLOWONRESISTANCE	IRF International Rectifier	IRF
IRF7406PBF	文件：240.98 Kbytes Page：9 Pages	GenerationVTechnology	IRF International Rectifier	IRF
IRF7406TR	文件：417.3 Kbytes Page：8 Pages	P-Channel30V(D-S)MOSFET Description TheSOP-8hasbeenmodifiedthroughacustomizedleadframe forenhancedthermacharacteristicsandmultiple-diecapability makingitidealinavarietyofpowerapplications.Withthese improvementsmultipledevicescanbeusedinanapplication withdramaticallyreducedboards	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友臺半導(dǎo)體廣東友臺半導(dǎo)體有限公司	UMW
IRF7406TR	文件：380.51 Kbytes Page：8 Pages	P-Channel30V(D-S)MOSFET Description TheSOP-8hasbeenmodifiedthroughacustomizedleadframe forenhancedthermacharacteristicsandmultiple-diecapability makingitidealinavarietyofpowerapplications.Withthese improvementsmultipledevicescanbeusedinanapplication withdramaticallyreducedboardspa	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊歐翊歐半導(dǎo)體	EVVOSEMI

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