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CEG8205A

DualN-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES ■20V,6A,RDS(ON)=21m?(typ)@VGS=4.5V. RDS(ON)=30m?(typ)@VGS=2.5V. ■SuperHighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TSSOP-8forSurfaceMountPackage.

CETChino-Excel Technology

華瑞華瑞股份有限公司

CEG8205A

DualN-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES 20V,6A,RDS(ON)=25mW@VGS=4.5V. RDS(ON)=35mW@VGS=2.5V. SuperHighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TSSOP-8forSurfaceMountPackage. Leadfreeproductisacquired.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

華瑞華瑞功率電子股份有限公司

CEH8205

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES 20V,5.2A,RDS(ON)TYP=25mW@VGS=4.5V. RDS(ON)TYP=30mW@VGS=2.5V. HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Ruggedandreliable. TSOP-6package. Leadfreeproductisacquired. Halogenfree.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

華瑞華瑞功率電子股份有限公司

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SOT23-6
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更多8205S供應(yīng)商 更新時間2024-4-11 18:15:00

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