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CEG8205A

DualN-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES 20V,6A,RDS(ON)=25mW@VGS=4.5V. RDS(ON)=35mW@VGS=2.5V. SuperHighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TSSOP-8forSurfaceMountPackage. Leadfreeproductisacquired.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

華瑞華瑞功率電子股份有限公司

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更多8205SS供應(yīng)商 更新時間2025-4-24 11:00:00