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TPCP8511

BipolarTransistorsSiliconNPNEpitaxialType

Applications ?High-SpeedSwitching ?DC-DCConverters ?PhotoFlashes Features (1)HighDCcurrentgain:hFE=250to400(IC=0.3A) (2)Lowcollector-emittersaturation:VCE(sat)=0.18V(max)(IB=33mA) (3)High-speedswitching:tf=38ns(typ.)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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更多8511PRO供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-4-12 17:35:00

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