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935146832410-W0T電容器的硅電容器規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
935146832410-W0T |
| 參數(shù)屬性 | 935146832410-W0T 封裝/外殼為非標(biāo)準(zhǔn)型芯片；包裝為托盤；類別為電容器的硅電容器；935146832410-W0T應(yīng)用范圍：高穩(wěn)定性，垂直硅電容器，引線鍵合；產(chǎn)品描述：CAP SILICON 1000PF 15% 30V SMD |
| 功能描述 | Wire Bondable Vertical SiCap WLSC832.410 0101 1nF BV30 |
| 封裝外殼 | 非標(biāo)準(zhǔn)型芯片 |
| 文件大小 |
1.24866 Mbytes |
| 頁面數(shù)量 |
11 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Murata Manufacturing Co., Ltd |
| 企業(yè)簡稱 |
MURATA1【村田】 |
| 中文名稱 | 村田制作所官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-5-7 11:06:00 |
| 人工找貨 | 935146832410-W0T價格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
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935146832410-W0T規(guī)格書詳情
935146832410-W0T屬于電容器的硅電容器。由村田制作所制造生產(chǎn)的935146832410-W0T硅電容器硅電容器和薄膜電容器是使用半導(dǎo)體器件制造中更常用的工具、方法和材料制造的特殊器件。因此，所提供的極高精度和控制能力可生產(chǎn)出具有卓越參數(shù)穩(wěn)定性且近乎理想的電容器，但參數(shù)值范圍相對有限，并且與最直接的競爭對手陶瓷器件相比，成本要高得多。
? Compatible with MLCC footprint
? Ultra-high stability of capacitance value:
o Temperature 70ppm/K (-55 °C
to +150 °C)
o Voltage <0.02/Volt
o Negligible capacitance loss
through ageing
? Low profile 0.1mm
? Small size 0.25 x 0.25 mm (0101 format)
? Break down voltage : 30V
? Low leakage current
? High reliability
? High operating temperature (up to 150 °C)
? Compatible with high temperature cycling
during manufacturing operations(exceeding 300 °C)
? Compatible with EIA 0101 footprint
? Applicable for standard wire bondingassembly (ball and wedge)
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號：
935146832410-W0T
- 制造商：
Murata Electronics
- 類別：
電容器 > 硅電容器
- 系列：
WLSC
- 包裝：
托盤
- 容差：
±15%
- ESL（等效串聯(lián)電感）：
50pH
- 應(yīng)用：
高穩(wěn)定性，垂直硅電容器，引線鍵合
- 特性：
高可靠性，小尺寸
- 工作溫度：
-55°C ~ 150°C
- 封裝/外殼：
非標(biāo)準(zhǔn)型芯片
- 高度：
0.005"（0.12mm）
- 大小 / 尺寸：
0.010" 長 x 0.010" 寬（0.25mm x 0.25mm）
- 描述：
CAP SILICON 1000PF 15% 30V SMD
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
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