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BDP948	文件：333.86 Kbytes Page：3 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage -V(BR)CEO=45V(Min) APPLICATIONS ·Designedforpoweramplifier ·highspeedswitchingandregulatedpowersupplyapplications.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
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