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A1P50S65M2分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊規(guī)格書PDF中文資料

A1P50S65M2
廠商型號

A1P50S65M2

參數(shù)屬性

A1P50S65M2 封裝/外殼為模塊;包裝為托盤;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊;產(chǎn)品描述:IGBT MOD 650V 50A 208W ACEPACK1

功能描述

ACEPACKTM 1 sixpack topology, 650 V, 50 A, trench gate field?stop M series IGBT with soft diode and NTC
IGBT MOD 650V 50A 208W ACEPACK1

封裝外殼

模塊

文件大小

791.79 Kbytes

頁面數(shù)量

14

生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡稱

STMICROELECTRONICS意法半導(dǎo)體

中文名稱

意法半導(dǎo)體集團官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-2-22 17:10:00

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A1P50S65M2規(guī)格書詳情

A1P50S65M2屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊。由意法半導(dǎo)體集團制造生產(chǎn)的A1P50S65M2晶體管 - IGBT - 模塊絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 是三端功率半導(dǎo)體器件,主要用作電子開關(guān),兼具高效率和快速切換優(yōu)點。作為模塊,IGBT 配置為非對稱式橋; 升壓、降壓和制動斬波器;全橋、三電平和三相逆變器。有些器件內(nèi)置了用于監(jiān)控溫度的 NTC 熱敏電阻。IGBT 模塊可根據(jù)最大功率、集電極電流、集射擊穿電壓和配置進行區(qū)分。

Features

? ACEPACK? 1 power module

– DBC Cu Al2O3 Cu

? Sixpack topology

– 650 V, 50 A IGBTs and diodes

– Soft and fast recovery diode

? Integrated NTC

Description

This power module is a sixpack topology in an ACEPACK? 1 package with NTC,

integrating the advanced trench gate field-stop technologies from

STMicroelectronics. This new IGBT technology represents the best compromise

between conduction and switching loss, to maximize the efficiency of any converter

system up to 20 kHz.

Applications

? Inverters

? Industrial

? Motor drives

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    A1P50S65M2

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 模塊

  • 包裝:

    托盤

  • IGBT 類型:

    溝槽型場截止

  • 配置:

    三相反相器

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    2.3V @ 15V,50A

  • 輸入:

    標準

  • NTC 熱敏電阻:

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    底座安裝

  • 封裝/外殼:

    模塊

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    ACEPACK? 1

  • 描述:

    IGBT MOD 650V 50A 208W ACEPACK1

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
ST/意法半導(dǎo)體
21+
ACEPACK-1
8860
原裝現(xiàn)貨,實單價優(yōu)
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ST/意法半導(dǎo)體
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