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BAS16W

Marking：A2；Package：SOT-323；Surface Mount Switching Diode

FEATURES ●Fastswitchingspeed. ●Highconductance. ●Forgeneralpurposeswitchingapplications. ●Surfacemountpackageideallysuited forautomaticinsertion. APPLICATIONS ●Forgeneralpurposeswitchingapplications.

BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited

銀河微電常州銀河世紀(jì)微電子股份有限公司

BAS16WT

Marking：A2；Package：SOT-323；Switching Diodes

EpoxymeetsUL-94V-0flammabilityrating MoistureSensitivityLevel1 Fastswitchingspeed HighConductance SurfacemountpackageideallySuitedforAutomaticInsertion

RFERFE international

RFE國際公司RFE國際股份有限公司

BAW56SRA-Q

Marking：A2；Package：DFN1412-6；Quad high-speed switching diodes

1.Generaldescription Quadhigh-speedswitchingdiodeswithcommonanodeconfigurationsencapsulatedinaleadless ultrasmallDFN1412-6(SOT1268)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. 2.Featuresandbenefits ?Highswitchingspeed:trr≤4ns ?Lowleakagecurrent ?Reversevolt

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安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

BC847AQB

Marking：A2；Package：DFN1110D-3；45 V, 100 mA NPN general-purpose transistor

Featuresandbenefits ?Highpowerdissipationcapability ?SuitableforAutomaticOpticalInspection(AOI)ofsolderjoint ?SmallerfootprintcomparedtoconventionalleadedSMDpackages ?Lowpackageheightof0.5mm ?AEC-Q101qualified

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安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

BC847AQB-Q

Marking：A2；Package：DFN1110D-3；45 V, 100 mA NPN general-purpose transistor

Featuresandbenefits ?Highpowerdissipationcapability ?SuitableforAutomaticOpticalInspection(AOI)ofsolderjoint ?SmallerfootprintcomparedtoconventionalleadedSMDpackages ?Lowpackageheightof0.5mm ?QualifiedaccordingtoAEC-Q101andrecommendedforuseinautomotivea

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安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

BCX53-10T

Marking：A2；Package：SOT89；80 V, 1 A PNP power bipolar transistors

Featuresandbenefits ?HighcollectorcurrentcapabilityICandICM ?Threecurrentgainselections ?Highpowerdissipationcapability ?AEC-Q101qualified

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安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

BGSA200ML9

Marking：A2；Package：TSLP-9-8；Two throws low resistance antenna tuning switch

Features ?LowRONresistanceof1.4ΩateachportinONstate ?LowCOFFcapacitanceof157fFateachportinOFFstate ?HighRFoperatingpeakvoltagehandlingof50VinOFFstate ?Lowharmonicgeneration ?MIPIRFFE2.1controlinterface ?SupportofMIPIandGPIOcontrolmodes ?1.

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BZX884-B2V7

Marking：A2；Package：DFN1006-2；Voltage regulator diodes

1.Generaldescription General-purposeZenerdiodesinanSOD882(DFN1006-2)leadlessultrasmallSurface-Mounted Device(SMD)plasticpackage. 2.Featuresandbenefits ?Totalpowerdissipation:Ptot≤250mW ?Wideworkingvoltagerange:nominal2.4Vto75V(E24range) ?Twotolerance

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安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

CFY30

Marking：A2；Package：SOT-143；GaAs FET (Low noise Fmin = 1.4 dB @ 4 GHz High gain 11.5 dB typ. @ 4 GHz)

GaAsFET *Lownoise(Fmin=1.4dB@4GHz) *Highgain(11.5dBtyp.@4GHz) *Foroscillatorsupto12GHz *Foramplifiersupto6GHz *Ionimplantedplanarstructure *Chipallgoldmetallization *Chipnitridepassivation

SIEMENSSiemens Semiconductor Group

西門子德國西門子股份公司

EDZ5.1B

Marking：A2；Package：EMD2；Zener diode

Features 1)2-pinultramini-moldtypeforhigh-densitymounting(EMD2). 2)Highreliability. 3)Canbemountedautomatically,usingchipmounter. Applications Constantvoltagecontrol

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)

替換型號

晶體管資料

  • 型號：

    A201

  • 別名：

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

    Si-NPN

  • 性質(zhì)：

    HF-L

  • 封裝形式：

  • 極限工作電壓：

    36V

  • 最大電流允許值：

    1A

  • 最大工作頻率：

    400MHZ

  • 引腳數(shù)：

  • 可代換的型號：

    3DA92,

  • 最大耗散功率：

    11.6W

  • 放大倍數(shù)：

  • 圖片代號：

    NO

  • vtest：

    36

  • htest：

    400000000

  • atest：

    1

  • wtest：

    11.6

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    A2

  • 制造商：

    Sumitomo Wiring Systems LTD

  • 功能描述：

    SLEEVING HEATSHNK CLR 1.6

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
NXP/恩智浦
23+
SOT753
3000
原裝正品假一罰百!可開增票!
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NXP/恩智浦
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SOT-23
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FM4002LP
S 50(42)2718
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SOT-23
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24+
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現(xiàn)貨供應(yīng)
 詢價
更多A2供應(yīng)商 更新時間2025-4-7 9:00:00

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